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실험이다. 각 베이스 전류에 대해 VCE를 변화시키며 IC를 관찰한다. 회로 연결은 옆과 같다. 베타 측정 실험 회로에서 컬렉터에 연결된 저항들을 제외한 것과 동일한 회로이다.
1. CH1 DC 1.5V, CH2 DC 0V인 상태에서 5kΩ 가변저항을 조절하여 베이스
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실험방법
<실험 부품 및 장비>
DC Power Source, Multimeter, 1kΩ 저항, 10kΩ 저항, 0.1uF 커패시터, HEF4007UB
<실험 과정 - Vt 측정>
1. HEF4007UBP를 이용하여 옆의 회로를 꾸민다.
2. VDD를 10V로 고정시킨 후 VGG를 조절하여 VGS를 0V부터 5V까지 0.4V씩 증가
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, 1N4154 또는 대치품
기타 : SPST 스위치, 5000Ω 2W 전위차계
<실험 과정>
<바이어스 안정화>
1. 오른쪽과 같이 회로를 구성한다.
2. S1을 닫고, 컬렉터 회로의 전류 IC를 측정하여 기록한다. VBE, VE, VCE도 측정하여 기록한 후 IE를 계산한다.
3.
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실험
① 연산 증폭기의 이득
위는 pspice 회로도이다.
왼쪽 그래프는 OFFSET을 3V, AMPL를 500mV 주었을 때의 시뮬레이션 결과이다. (실제 실험에서는 점진적으로 증가시키나 동작 성향을 파악하기 위해서 고정값을 설정하였다)
RR과 RF의 비가 1:1이므
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실험하기 위한 회로를 그림 18.8에 나타냈다. 그림에서 트랜지스터 Q3와 Q4는 저항기 RB와 함께 정전류 전원을 형성한다. 이 회로에서 RB = 33 KΩ, RC1= RC2 = 20KΩ, VCC=-VEE=15V 이고 트랜지스터의 β=150이다. 증폭기의 바이어스 전류 IEE를 구하라.(단,
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실험의 경우 시뮬레이션 결과에서 도출할 수 있는 AV값이 1 이하가 나왔다. 이는, 증폭기의 설계 의도에 맞지 않는 결과이다. (출력 전압이 입력 전압에 비해 오히려 적으므로) 대체한 MOSFET의 문제인지, 회로 설계의 문제인지 등의 원인 발견을
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클 경우 (100배정도) 이미터전류는 트랜지스터의 β 에 영향을 받지 않고 트랜지스터를 바꿀 경우더라도 콜렉터 전류와 콜렉터 이미터간의 전압 또한 크게 변화가 없을 것인데 이러한 실험을 하지 않고 단순히 회로만 꾸며보고 살펴보았기 때
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전류가 크게 영향을 받는 회로의 순서는
실험 ①회로 > 실험 ③회로 > 실험 ②회로
였다.
즉 실험 ①회로인 1개의 저항을 이용하는 BJT 바이어스 회로는 이론과 같이 트랜지스터의 β에 매우 민감한 의존성을 지닌다는 사실이 실험적으로 확
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실험 결과 및 검토
이번 실험은 다이오드의 특성을 이용하여 정류 회로를 꾸며보고 각 정류회로의 특성을 살펴보았다. 반파정류기에서 여러 정류기를 써보았는데 대체적으로 오차율이 적고 정류되는 파형도 잘나와서 만족스러운 실험이 되
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실험의 여건상 제대로 Ib에 따른 각 region 별 콜렉터 특성을 살펴보고 비교할 수 없어서 아쉽다.
고정바이어스 실험과 전압분배기 바이어스 실험에서는 단순히 회로만 꾸며보고 그 특성을 살펴보았을 뿐 거기에 따른 트랜지스터별로 비교하거
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