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론
시뮬
측정
12V
12V
12.757V
0A
0A
0.00005A
-12V
-12V
-11.307V
1.7uA
1.776uA
0.00005A
■ 실험회로 2 : BJT AB급 전력증폭기 회로
- 실험 결과 그래프 및 표 :
이론 값
시뮬레이션
측정 값
3.1mV
3.118mV
6.845mV
526.4mV
526.862mV
0.5622V
-520.8mV
-526.862mV
-0.5623V
845.0uA
845.846uA
0.00
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들면 7447의 출력이 b,c만 0V(LOW)가 나오면서 segment의 b와 c에만 불이 들어오게 되고, 숫자 1이 출력 되는 것을 알 수 있다. 실험 8. Encoder와 Decoder
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
6. 결과 보고서
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결과 보고서
실험 제목: 다이오드 응용 회로 I
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험1 : DMM 이용한 소자 값 측정
1. DMM을 이용한 다이오드 전압
소자
규격
측정 값
순방향
역방향
다이오드
1N4004
0.475V
OPEN
1N4004
0.476V
OPEN
1N4004
0.471V
OPEN
1N4004
0.473V
OP
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실험 회로 사진
상승시간 측정
하강시간 측정
시정수 측정
상승시간
하강시간
시정수
36.60
39.20
16.80
검토 및 토의사항
저항 값과 커패시터 용량을 이용하여 상승시간과 하강시간을 예측하여 계산한 값은 약 32.94 이였는데 실험결과에서 상승시
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내부저항 값과 비슷한 51Ω 저항에 걸리는 전압을 측정함으로서 함수발생기 내부의 저항값을 알아볼 수 있었다. 실험 4. 부하 효과 (loading effect)
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고서
6. 결과 보고서
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약 1V가 나왔고 7400 TTL 2개의 게이트에서 입력단과 출력단의 전위차가 1V가 측정되는 것을 알 수 있었다. 실험 7. 디지털 게이트의 전기적 특성
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
6. 결과 보고서
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결과 보고서
※각 항목에 반드시 검토 및 토의 내용을 작성하여 제출할 것.
실험번호
제출일
제출자
실험조
학번
이름
6
2014. 10. 29.
실험1 RLC 직렬 공진회로
공진
주파수
Q
Q
(이론값)
240Ω
33.7kHz
2.44V
2.44V
640mV
1.68V
1.76
1.86
120Ω
33.7kHz
4.08V
4.08V
840mV
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실험 사진
저항 구성도
저항 값
멀티미터 측정값
저항 오차범위
1.8kΩ
1.778kΩ
1.8±0.09kΩ
2.2kΩ
2.189kΩ
2.2±0.11kΩ
2kΩ
1.985kΩ
2.0±0.10kΩ
-그림과 같이 저항을 구성하고 회로 양단의 저항을 멀티미터로 측정하니 1.985kΩ이 나왔다. 이 결과는 회
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결과 보고서
※각 항목에 반드시 검토 및 토의 내용을 작성하여 제출할 것.
실험번호
제출일
제출자
실험조
학번
이름
3
2014 . 10. 1.
1)
- 채널 1에 정현파 인가 시 (1Volt/Div)
채널 1에 1kHz 5Vp-p 정현파
오실로스코프 xy 모드
-채널 2에 정현파 인가 시
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.
(1) 무한대의 전압이득 : Av = ∞
(2) 무한대의 입력저항 : Rin = ∞
(3) 영 옴인 출력저항 : Rout = ∞
(4) 무한대의 대역폭 : B = ∞
(5) 영인 오프 1. 목적
2. 이론
3. RC 빈-브리지 발진기 회로 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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