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실험 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정
소자
규격
측정 값
저항
1k
1.003k
2k
1.9576k
3.7k
3.857k
7.5k
7.52k
10k
9.96k
10k
10.008k
10k
9.982k
10k
9.987k
4k과 8k 저항이 없어 3.7k과 7.5k으로 대체하였다.
■ 실험 2 : ELVIS II를 이용해서 연산증폭기의 A/D 변환기 회로 측정
1)
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Coupling 으로 설정하여야 출력을 확인할 수 있습니다
3. 가산 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 -
시뮬레이션 결과 값: Run to Time :50us 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 가산 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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실험 순서 및 방법
책에 있는 그림4(다이오드가 하나 있는 직렬회로) 그림5(다이오드가 두 개 있는 직렬회로) 그림6(다이오드가 두 개 있는 병렬회로)의 실험회로를 멀티심으로 연결한 수 저항에 걸리는 전압과 전류를 측정하고 이론적으로 계
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데브난의 정리(Thevenin’s Theorem)와 노튼의 정리(Norton’s Theorem)를 이해하고, 잡한 회로를 단순화시키는 두 정리를 실험적으로 확인함으로써 복잡한 회로에 대한 분석 능력을 키운다.
임의의 회로에서 데브난(Thevenin)의 등가회로를 이용한 계산
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : BJT B급 전력증폭기 시뮬레이션
이론(계산)값
시뮬레이션 값
12V
12V
0A
0A
-12V
-12V
1.7uA
1.776uA
■ 모의실험회로 2 : BJT B급 전력증폭기 파형측정
전압이득(시뮬레이션)
전압이득(이론
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실험 방법
(1) Gate로 구성한 RS F/F ; 그림 6과 같이 회로를 구성한 후, S‘과 R’을 교대로 접지에 연결하면서 LED의 점등상태를 확인하시오.
(2) 74LS93 2개를 이용하여 8bit-Binary Counter를 구성하고 Clock Pin에 함수 발생기를 이용하여 2kHz Clock(5Vp-p, DC off
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
28 uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
■ 모의실험회로 1-2 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422
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론
시뮬
측정
12V
12V
12.757V
0A
0A
0.00005A
-12V
-12V
-11.307V
1.7uA
1.776uA
0.00005A
■ 실험회로 2 : BJT AB급 전력증폭기 회로
- 실험 결과 그래프 및 표 :
이론 값
시뮬레이션
측정 값
3.1mV
3.118mV
6.845mV
526.4mV
526.862mV
0.5622V
-520.8mV
-526.862mV
-0.5623V
845.0uA
845.846uA
0.00
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실험 방법
(1) 7400과 7408을 사용하여 그림 8.7과 같은 회로를 구성하시오.
그림 8.7. Decoder 실험 회로
(2) A와 B에 (0V,0V), (0V,5V), (5V,0V), (5V,5V)를 인가하여 각각의 경우에 대하여 켜지는 LED를 표 1에 체크하시오.
(3) 그림 8.8과 같은 회로를 구성하시오.
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결과 보고서
실험 제목: 다이오드 응용 회로 I
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험1 : DMM 이용한 소자 값 측정
1. DMM을 이용한 다이오드 전압
소자
규격
측정 값
순방향
역방향
다이오드
1N4004
0.475V
OPEN
1N4004
0.476V
OPEN
1N4004
0.471V
OPEN
1N4004
0.473V
OP
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