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실험에서 거의 제대로 측정하여 실험했다는 생각이 들었다. 다음 실험때도 이번 실험과 마찬가지로 실제 데이터시트의 값과 오차를 거의 보이지 않는 정도로 열심히 할 것이다. 1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
3 Post-Lab(실험 후 과정): 고찰
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1 Multisim으로 간단한 회로 작성하기
■ 실험회로 1 : RL circuit(time domain)
- 실험 결과 그래프 및 표 : 60Hz로 설정했을 때10hz로 설정했을 때
■ 실험회로 2 : RL circuit(frequency domain)
- 실험 결과 그래프 및 표 : 1Ghz로 설정했을 때
1mHz로 설정했을 때
■
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예비 보고서
실험 제목: 다이오드 응용회로 II
2 Pre-Lab(예비실험): 다이오드 리미터 회로
■ 모의실험회로 1-1 : 다이오드 리미터 회로A
■ 모의실험회로 1-2 : 다이오드 리미터 회로B
■ 모의실험회로 1-3 : 다이오드 리미터 회로C
■ 모의실험회로
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실험의 2번 결과 값과 5번 결과 값을 비교해 본다면 대략 증폭률이 2정도 차이난다. 즉 예측 했던 2번 결과 값과 5번 결과 값이 거의 같다는 것을 확인 할 수 있었다. 실험목적
실험과정 및 결과
① 폐회로 이득
실험과정
② 이득 - 대역
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<RC 직병렬 회로 결과 리포트>
사용한 캐패시터값
Capacitor Number
Rated Value
3
0.1
4
0.1
5
0.47
실험결과값
①직렬
직렬 연결한 총 캐패시턴스
, , 를 직렬로 연결
rms
R에서의 전압
4.920
3.145
==0.045
, 를 직렬로 연결
rms
R에서의 전압
4.903
3.125
=0.082
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회로의 는 회로에서 계산된 값과 같은 저항을 연결해야 하는데 이 때 회로에서 계산된 저항과 정확히 맞는 것이 없었음.
전류가 흐르면서 생기는 저항에 의한 열손실.
측정 장치 내부의 저항에 의한 오차 발생.
실험시 실험장치 사이의 접점
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실험을 반복하라.
Ra(V) = 5V, Rb(V) = 5V
B-1. 10㏀ 저항들을 사용하여 실험을 반복하라.
Ra(V) = 5V, Rb(V) = 5V
2. 전류측정
목적 : 노튼회로를 구성하여 보고 측정해본 후 이론값과 비교하여 본다.
다음과 같은 회로를 구성하라.
+
10V
-
A. 전원의 전압이
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실험한 경우를 보면 측정된 전압값이 1.681V 이다. 그러나 주어진 저항값과 공급된 전압을 통해 전압값을 계산해보면 1.673V 가 나온다. 이렇게 계산해서 추측했던 전압값보다 실제로 미세하게 더 큰 전압값이 측정되는 원인중에 하나는, 여러 가
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 :
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
Multisim을 이용한 시간영역에서의 저역통과필터의 주파수 특성 측정 결과
주파수 [Hz]
입력 전압 첨두간 전압[V]
출력 전압 첨두간 전압[V]
전압
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결과 보고서
실험 제목: 다이오드의 전압 전류 특성
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험회로 1 : PN접합 다이오드의 전압전류 특성
① -50V ~ 50V, 간격(Increment) 0.5V
- 실험 결과 그래프 및 표 :
예비실험 데이터 / 실제실험값
■ 실험회로 1-1: ②
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