|
생각됩니다. 이론값을 구할 때는 문턱전압의 값을 3V라고 생각하고 계산하였습니다.
공식 를 이용하여 를 계산하면 다음 표를 만들 수 있습니다.
1.5
0
2.0
3180
2.5
710
3.2
330
4.5
180 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비 실험
|
|
|
압은 R2.Id이다.
3. 실험기기 및 부품
(1) N-channel MOSFET CA4007 (1개)
(2) 저항1.5k(2개), 5k(1개), 10k(3개)
(3) 커패시터 0.1uF(2개), 0.1nF(1개)
(4) 함수발생기1대
(5) 직류 전원공급기1대
(6) 오실로스코프1대
4. 실험
1) CS (Common-Source) Amplifier 1. 실험 목적
2.
|
|
|
이용한 제너다이오드는 정전압 안정회로에 사용된다.
그림2)는 Zener Diode의 일반적인 회로를 나타내는데, 제너다이오드는 항상 역방향 전압을 인가하여 사용한다. 여기서 제너다이오드에 직렬로 연결된 저항 R은 입력 전압이 변동하였을 때 회
|
|
|
제너다이오드가 역전압을 견디지 못하고 covalent bond가 깨져버리기 때문에 순간적으로 역방향에 전류가 크게 흐르게 되는 것이다. 실험주차
실험목적
실험개요
이론적 배경
1. PN Diode
2. Zener Diode
실험방법
토의/고찰
|
|
|
회로도 구성
Orcad Capture프로그램으로 회로도 구성
5. 브레드보드에의 예비 구성
6. 만능기판에의 실제 구성
빨간색 LED의 부족으로 녹색과 노란색 LED로 대체하였다.
(이 사진은 빨간색으로 이미지만 수정한 사진임)
7. 동작사진
(LED밝기가 약하
|
|
|
회로에서 자속 쇄교수가 변화하면 그 시간적 변화율에 비례하는 기전력이 유기된다. 이 기전력을 유도 기전력이라고 한다. 한 회로의 전류와 이로 인하여 생기는 자속 쇄교수의 관계는 다음과 같다.
λ = Li (13-1)
이때 정의된 L을 인덕턴스라고
|
|
|
5 pspice 시뮬레이션
1) BJT 전류 전압 특성곡선
2) BJT turn-on voltage
3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(시간에 따른)
4) 3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(전압에 따른)
|
|
|
하여 작아진다는 사실을 알 수 있다.
(3) 전압계와 전류계를 회로에 어떻게 연결하여야 하며(직렬, 병렬), 그 이유는 무엇이라고 생각합니까?
- 전압계의 내부저항은 매우 크다. 그래서 병렬로 연결하면 사실상 거의 전압계 쪽으로 전류가 흐르
|
|
|
ULL): TTL/CMOS 논리회로의 입력파형으로 고정논리레벨을 갖는 파형을 인가할때 사용.
DC OFFSET(PULL): 출력신호에 양 또는 음의 DC 성분을 첨가할 수 있다.
OUTPUT: 주 출력이 출력 임피던스 50Ω으로 출력되는 BNC 단.
AMPLITUDE: 출력신호의 레벨을 0에서
|
|
|
트랜지스터의 동작 및 기능
-트랜지스터는 기본적으로 전류를 증폭할 수 있는 부품. 디지털 회로에서는 ON 또는 OFF의 신호만 받기 때문에 트랜지스터의 증폭 특성의 차이는 문제가 되지 않는다. 회로 기능은 대부분이 IC로 처리하는 경우가 많
|
|
메뉴펼치기
