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자가 PNP 트랜지스터의 베이스에 연결되고 (+)단자가 컬렉터에 연결되었을 때 낮은 저항값을 표시하고 있다면 이 트랜지스터의 접합은?
(a) 순방향 바이어스되었다. (b) 역방향 바이어스되었다.
(c) 개방되었다. (d) 단락되었다.
⇒ Base 와 Collector
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아트-소스 사이의 전압에서 드레인-소스 사이 전압의 변화가 드레인전류를 변화시키는 함수로서 이러한 곡선은 JFET드레인 특성곡선이라고 한다.
3. 그림 19-3의 곡선이 평평해지기 시작하는 점에서 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VP (c) VGS(off) (d)
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4
0.032
1.281
-0.03
0.063
0.093
5
0.032
1.283
-0.03
0.065
0.095
평 균
0.032
1.278
0.876
보고값
0.032
1.278
0.876
30cm일 때
구분
Integration (first peak)
[V* sec]
first peak
[V]
[s]
t1
t2
1
-0.032
-1.455
-0.1
-0.015
0.085
2
0.032
1.494
-0.015
0.055
0.08
3
0.032
1.498
-0.01
0.01
0.02
4
0.031
1.392
0.
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를 간단하게 측정하는 방법은 [그림 6-6(b)]와 같이 VDS 가 매우 작은 값을 갖을 때 ID 를 VGS의 함수로 나타낸 Graph를 이용하는 것이다. 즉, (식 6-6)과 같이 표현된 것 처럼 ID versus VGS plot에서 X-axis와 만나는 지점이 VT가 된다.
MOSFET의 특성을 나타내
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전압분배 바이어스에 의해서 이미터 접지 트랜지스터 증폭기를 만든다.
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회로 및 시스템”, 문운당
[4] 대한전자공학회, “디지털 전자회로 및 시스템 실험”, 청문각
[5] 이행우, “디지털회로설계 실습”, 과학기술
[6] 박용수, “디지털 논리 설계”, 북두출판사
[7] 김정태 “디지털 이론 및 실험”, 차송 실험
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실험 데이터를 실행데이터와 비교하라. 두 데이터 간의 차이가 있는 경우 그 차이를 설명하라.
출처
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, “기초 전자회로 실험“, 인터비젼
http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/04_332/exp12.pdf
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1
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결과 input이 2V가 넘어가는 시점부터 출력 전압이 반전되어 나오는 것을 확인할 수 있었다.
6. 참고문헌
[1] 대학전자회로 실험, 1997년, 청문각, 이승훈외 3명 p.303~p.311 1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 결과 및 분석
5. 토의
6. 참고문헌
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약 1.4~1.8V 정도 빼주어야 한다. 왜냐하면 브릿지 다이오드정류방식은 다이오드 2개를 통과해야 하기 때문이다. 그 외 반파정류 또는 트랜스 센터탭을 이용한 양파정류는 0.7~0.9V만 빼주면 된다. 1.5.2 반파 정류기 실험
1.6.2 검토 및 고찰
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단계 8의 결과를 비교하라.
출처
전자회로 11판, Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky 지음, PEARSON
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=595958&mobile&categoryId=339
http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/05_332/exp10.pdf 제목
실험 목적
실험 장비
이론(PSpice 포함)
출처
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