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회로(클램프, 클리퍼)를 구성해 보고, 동작원리를 이해한다.
Diode를 응용한 회로(전파정류회로)를 구성해 보고, 동작원리를 이해한다.
실험결과분석 : 저항은 1KΩ를 사용하였으나, 직접 측정해본 값은 997.54Ω 이었다. Vs는 입력전
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각각의 회로에 대해서 변화율을 관찰해보았는데, 그것이 감소함을 눈으로 확인할 수 있었다. 그리고 그것을 통해서 β에 둔감한 회로가 어떤 것인지 또한 실험적으로 확인할 수 있었다.
실험 1에서 실험을 진행하면서 처음에 β값이 이상하
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회로도 깔끔한 결과를 얻을 수 있도록 한번에 성공하였다. 실험 중 가장 시간을 많이 소비했던 것은 달링턴 회로였는데 회로를 직접 만들었던 것이 제대로 작동하지 않아 결국 소자를 사용하였는데 그때 소비한 시간이 가장 아까운 시간이었
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순방향바이어스하기 위해 필요한 전압은 이제 두 실리콘 다이오드의 전압 강라에 의해 공급되어 두 실리콘 다이오드가 순방향 바이어스 된다.
출력 전압이 입력전압과 거의 같아 전압이득이 같다. 1. 실험 목적
2. 회로도
3. 결론
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3소자형 발진회로 X1, X2는 동일하고 B-C사이인 X3는 다른 리액턴스
① 하틀리 : X1, X2 유도성
(X1>0, X2>0)
X3 용량성 (X3<0)
② 콜피츠 : X1, X2 용량성
(X1<0, X2<0)
X3 유도성 (X3>0)
<귀환요소>
B와 E가 동위상이 되어 귀환요소가 됨.(X1)
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실험결과
1) 실험 1 : Digital Gate (OR, AND, NOT, EX-OR Gate)
≪ 그 림 ≫ ≪ 표 - 그림 파일 ≫
≪ 그 림 ≫
≪ 사 진 ≫ ≪ 사 진 ≫
≪ 사 진 ≫ ≪ 사 진 ≫
실험결과분석 : 회로도에서 검은색 전선은 GND(그라운드)를 모두 연결
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회로는 스위치가 열린 전류가 흐르지 않는 회로이다.
저항이 높으면 전류가 거의 흐르지 않아 개방회로가 된다.
∴ 낮은 ㏀ 범위에서 저항이 직렬로 나타난다면 충분히 큰 저항레벨은 개방회로로
볼 수 있다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
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실험은 다양한 전압과 JFET에 흐르는 전류 사이의 관계를 확립할 것이다. 이 관계의 성질은 JFET의 적용 범위를 결정한다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 포화전류 Idss와 핀치오프 전압 측정
(2) 출력 특성
(3)
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실험의 목적은 오실로스코프, 함수발생기, DMM의 사용법을 익히는 것이다.
이 실험을 통해서 수평감도가 높아질수록 파형의 나타나는 주기가 짧아지고 수직감도가 높아질수록 파형의 나타나는 진폭은 커지지만 실제의 주기와 Vp-p값은 변하지
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회로 구동에 무리가 가지 않도록 한다.
- 실험 도중 LED가 손상되었는데, 이는 LED가 받아들일 수 있는 이상의 전류가 걸려 견디지 못하고 손상된 것으로 판단된다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) LED 특성
(2)
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