|
스 공통 증폭기의 실제 실험 회로와 시뮬레이션 결과이다.
시뮬레이션에서는 Vin > Vout 으로 AV가 1보다 작은 결과가 도출되었는데, 결론부터 언급하자면 시뮬레이션의 오류이다. 실제 실험에서는 AV가 1 이상이 되도록 나왔고, 회로가 증폭기
|
|
|
T만을 사용하여 디지털 논리기능과 메모리 기능을 실현할 수도 있습니다. 이런 이유로 현재 대부분의 초대규모집적회로(VLSI)는 MOSFET으로 만들어집니다. 또한 MOSFET은 아날로그 집적회로설계에도 많이 이용되고 있습니다.
JFET와 MOSFET의 차이점
|
|
|
MOSFET 를 어떻게 사용하느냐에 따라 DC 게인을 조절 할 수 있다는 것을 실험을 통해 알수 있었다.
< 5. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN, PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교
|
|
|
9-3]에 기록하시오.
- 예비 보고서 때와는 다르게 RD 저항을 short 시키지 않고 100ohm의 값을 주어서 실험을 진행하였다. 다음의 회로는 브레드 보드에 구성한 본 실험의 회로도의 모습이다. 1. 실험 과정 및 결과
2. 실험 결론 및 분석●고찰
|
|
|
MOSFET, 커패시터 10, 가변저항 100Ω, 4.7㏀, 저항 390Ω, 2.2㏀, 1.5㏁, 5.1㏁, 1㏁, 2㏁, 1㏀, 10㏀, 회로 시뮬레이터
5. 실험 내용
(1) 신호 발생기의 출력신호를 10kHz, 진폭이 100mV인 정현파로 조정하라.
(2) <그림 8>과 같은 공통소스 증폭기를 구성하
|
|
|
보는 특징 및 장점,단점
가) 자기바이어스(JFET)
① JFET의 동작원리
*** 핀치오프 점?
② JFET의 특성
④ Q점의 결정
나) 전압 분배 바이어스 회로(JFET)
다) Zero 바이어스 회로(공핍형 MOSFET)
라) 드레인 궤환 바이어스(증가형 MOSFET)
4)reference.
|
|
|
Emitter보다 농도가 작게 도핑 되어 실제 시판 되고 있다.
BJT 구조에서 Emitter와 Collector는 같은 물질의 반도체로 구성되어 있으나 그 부피나 농도는 다르게 제작 되어진다.
3. 시뮬레이션 결과 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 시뮬레이션 결과
|
|
|
실험에서 살펴본 것은 차동 증폭기의 가장 단순한 형태이다. 실제로는 이 회로로부터 조금씩 변화를 주어 차동 증폭기의 특성을 향상시켜 사용한다. 위 실험의 결과와 전자회로 강의의 내용을 바탕으로 위 실험의 차동 증폭기를 변형시킨 구
|
|
|
회로에서 차지하는 공간이 적어서 집적도를 아주 높게 할 수 있다.
-단점
① 접합 트랜지스터에 비해서 동작속도가 느리다
② 고주파 특성이 나쁘다
3. MOSFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
Vgd 값 0.5에서 0.5v씩 증가, 5v까
|
|
|
실험을 하면서 전자회로 시간에 이론적으로 배운 내용을 실험을 통해 확인할 수가 있었다. 그리고 실험도 우리가 원하는 값이 잘 나와 주었기 때문에 실험이 수월하게 끝난 것 같다. 다음 실험도 이번처럼 준비를 잘하여 수월하게 실험하도록
|
|
메뉴펼치기
