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실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 <그림 8.3>과 같다.
회로 구성
< Plot vs >
- 처음 값이 +5V일 때, 값은 3.5679kΩ이다.
- 처음 측정한 값이 약 2배가 될 때의 전압 값은 3.75V이다.
- 문턱전압 2V부터 감소하는 파형으로
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실험이었다. 저항을 부하로 사용하는 공통 소스 증폭기도 있지만, 우리는 전류 소스를 부하로 사용한 증폭기에 대한 실험만 임하였다.
- 실험 순서 1)은 공통 소스 증폭기 회로를 구성하는 것이었다. 회로를 구성한 후 값을 측정하였는데, 이
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[V]
8.201 [V]
9.427 [V]
9.583 [V]
9.746 [V]
① (= 100으로 가정)
②
③
④
⑤
실 험 결 과
<표 6-3> 전압분배기 바이어스회로 실험결과 기록표
측 정 량
측 정 값
이 론 값
트랜지스터
트랜지스터
1.932 [V]
2.05 [V]
1.254 [V]
1.35 [V]
2.67 [mA]
2.87 [mA]
5.3 [V]
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회로의 선형동작영역 실험결과 (표 6-1~표 6-4)에서 구한 전류증폭률 의 평균값 를 구하여라.
그림 6-10의 트랜지스터 이미터 공통회로를 해석하여라.
단, 사용한 트랜지스터 소자의 전류증폭률 =200, 베이스와 이미터 사리의 도통전압 =0.7V, 컬렉
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있을 수 있다.
그림 5의 특성곡선을 얻기 위해서는 먼저 , 시켜서 얻을 수 있다.
그림 5에서 베이스에 흐르는 전류 는
이식에서 이다.
(4) 컴퓨터 실습
모의실험 8-1
1. 회로도
2. 파형 1. 목적
2. 실험장비
3. 관련 이론
4. 컴퓨터 실습
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실험. Timer LM555실험 : 비안정 바이브레이터
1.Orcad 결과
< RA = 4.7k , RB = 4.7k 일때 >
-회로-
-파형-
< RA = 4.7k , RB = 2.35k 일때 >
-회로-
-파형-
< RA = 4.7k , RB = 9.4k 일때 >
-회로-
-파형-
< Astable operation (비안정 발진 동작)>
-회로-
-파형-
2.
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회로를 공통-이미터(common-emitter) 또는 접지된 이미터 증폭기라고 부른다.
트랜지스터 증폭기 회로의 해석은 직류(또는 바이어스)해석과 교류 해석으로 나눌 수 있다. 직류 해석은 활성 모드에서 동작하고 있는 트랜지스터의 단자들에 흐르는
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1.목적
능동 부하를 가진 bjt 차동 증폭기의 전압 이득과 출력 저항을 실험을 통해 구한다.
2.예비지식
회로에서, 트랜지스터 Q1과 Q2가 차동쌍을 형성하며, 이들 트랜지스터는 정전류 IEE로 바이어스 된다. 부하 회로는 전류 미러 형태로
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실험에서 적용시킬 예정이라 시뮬레이션에서는 그대로 진행하였습니다.
아래 그림 1.9와 같이 회로를 결선하고, 함수발생기의 출력을 회로도에 표시된 바와 같이 설정한다.
1kΩ 양단에 인가되는 전압 파형을 오실로스코프로 관찰하되, 함수발
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실험 내용
- PSpice를 이용한 회로 시뮬레이션
- RC, RL 직렬 및 병렬회로
- 노턴의 정리
- 미분회로와 적분회로
- 옴의 법칙
- 인덕터
- 전압 배율기와 전류 분류기
- 중첩의 원리
- 직렬과 병렬
- 최대전력 전달조건
- 커패시터
- 키
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