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황 준비
2 RL을 사요하여 25-3회로 구성, VPS = 15V, IL 측정,
3 BC 양단에 걸리는 전압을 측정한다. 이전압이 VTH
4 회로에서 전원을 제거한다. AD 사이의 도선을 연결하여 단락시킨다.
5 B점과 C 점의 사이의 저항값 측정, 이것이 RTH이다.
6 VPS = VTH되록
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회로에 병렬로 연결한다.
4)교류전류 측정 : 직류전류계에 정류회로를 추가하여 만든 교류전류계를 사용한다.
옴의 법칙
전기 흐름의 방해하는 작용을 전기 저항 이라하며, 저항이 클수록 전류는 적게 흐른다. 즉, 도체에 전압을 가했을 때 전
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파수를 위에서 수식으로 구한 공진주파수보다 작은 범위에서부터 큰 범위로
변화시키면서 저항과 LC공진회로 양단의 전압을 측정해 표에 기록한다.
실험을 통해 작성한 표를 가지고 저항과 LC공진회로의 양단전압을 주파수의 함수로
그린
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리고 인가전압 등을 나타내는 완전한 회로도를 작성한다. 저항값들을 구하기위한 계산과정 또한 보인다.
5) 전원을 끄고 스위치를 개방한 상태로 4)에서 설계한 회로를 구성한다. 실험조교에게 회로를 확인받은 후, 회로에 전원을 인가하고 전
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V)와 전류(I)의 값을 알 수 있을 때 저항(R) 값을 구할 수 있다.
R =
나. 저항의 직렬회로
직렬회로에서 전류는 오직 하나의 경로만을 갖는다. 따라서 각 소자에서의 전류는 같다. 회로의 총 전압은 각 저항의 크기에 따라 소자별로 분리된다. 각
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압 이 된다.
실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 <그림 8.3>과 같다.
회로 구성
< Plot vs >
- 처음 값이 +5V일 때, 값은 3.5679kΩ이다.
- 처음 측정한 값이 약 2배가 될 때의 전압 값은 3.75V이다.
- 문턱전압 2V부터 감소하
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Buck 컨버터와 기본적인 소자들을 맞추었다. 즉, MOSFET의 Gate 부분에 Vpulse를 달아서 회로를 구성했고, 다이오드는 D1N4002, MOSFET은 IRF150으로 설계했다. 출력전압을 12~16V로 맞추기 위해 소자값을 맞추고, Vpulse에 7V를 인가해 준 결과 15V를 얻어낼 수
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압)
3) Function Generator를 이용하여 아래와 같은
Trigger Pulse를 만들어서 인가한다.
그림 -9> Trigger 입력조건
그림 -8> Monostable Multivibrator 회로
4) Q2의 Collector 전압이 High를 유지하는 시간을 측정하고 이를 이론치와 비교하시오.
이론치 :
측정치
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압의 교류를 정류한 후 저전압으로 만들어 사용하고 있다.
역시 흔한 기기인 핸드폰 충전기는 220볼트의 교류를 정류한 후 직류전류를 이용하여 다시 회로를 만들어 저전압으로 출력하는 방식이다.
가정의 콘센트에는 교류 220V가 흐르고 있
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1
R=20 [Ω] , L=0.1 [H], C=200 [uF]의 직렬회로에 60 [hz]/220[V] 의 AC 전압을 가했을 때, 회로에 흐르는 전류 I[A]와 R, L, C 각각에 걸리는 전압 , , 를 각각 구하시오.
A) X = wL = 2fL = 37.699 Ω, X = = = 13.263 Ω
Z = R + j(X-X) = 20 + j24.436 Ω = 31.57750.701 Ω
I = = = 6.967-50.7
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