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VS(㎷)
20
VO(㎷)
12.5
28.5
195
430
430
440
380
CB
VS(㎷)
20
VO(㎷)
2.1
22.5
145
195
190
195
175
CC
VS(㎷)
54.5
100
110
VO(㎷)
6.1
71
91
91
91
91
91
98
Cascode
VS(㎷)
20
VO(㎷)
9.25
29
190
360
365
355
342 모의실험
1.CE 증폭기
2.CB 증폭기
3.CC 증폭기
4.캐스코드 증폭기
실험결과
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입력신호를 인가하라.
오실로스코프를 이용하여 출력전압파형이 잘리거나 왜곡되지 않는
것을 확인하고 기록하라. 1. 이론 개요
2. 실험과정 및 결론
? 달링턴 회로
? 캐스코드 회로
3. 피스파이스
4. 결론, 토의 및 고찰
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캐스코드 증폭기 회로 해석
에서는 가 없는 공통 이미터 회로로 볼 수 있고, 전압이득 ≒ 1이며
전압 은 와 반대의 극성을 갖는다.
에서는 가 없는 공통 베이스 회로로 볼 수 있고, 전압이득은 반전되지 않으므로
전체 전압 이득은
※ 커패시
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12.5
28.5
195
430
430
440
380
CB
VS(㎷)
20
VO(㎷)
2.1
22.5
145
195
190
195
175
CC
VS(㎷)
54.5
100
110
VO(㎷)
6.1
71
91
91
91
91
91
98
Cascode
VS(㎷)
20
VO(㎷)
9.25
29
190
360
365
355
342 2. 모의 실험
가. CE 증폭기
나. CB 증폭기
다. CC 증폭기
라. 캐스코드 증폭기
3. 실험결과
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2의 입력 임피던스이다. CB증폭단의 이득을 구하기 위한 무부하 방정식의 Rc를 CB증폭단의 입력 임피던스로 바꾸면 Avi = -Rc / re = -1
두 번째 증폭단(공통 베이스)의 전압 이득은 Av2 = Rc / re
전체이득은 Avt = Av1Av2
정압 이득이 -1인 CE 증폭단은 CB 증
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결과 REPORT
BJT바이어스 특성 및 회로
목 차
1. 실험 목적
2. 실험 장비
1.계측기
2.부품
3. 이론
4. 실험 내용 및 결과
1. 달링턴 이미터 폴로어 회로
2. 달링턴 회로 입출력 임피던스
3. 캐스코드 증폭기
5. 결론
6. 토의 및 고찰
1. 실험 목적: 달링턴
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캐스코드 증폭기란?
캐스코드 회로는 저잡음 증폭회로로 널리 쓰인다. 캐스코드 회로는 캐소드 접지의 고 gm 3극관과 그리드 접지의 3극관을 직렬로 연결한 것이다. 초단에는 이미터 접지 증폭 회로, 다음 단에는 베이스 접지 증폭 회로를 접속
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달링턴 회로: 달링턴 회로는 두 개의 바이폴라 접합 트랜지스터를 접속하여 하나의 ‘superbeta’ 트랜지스터로 작동하도록 한 회로이다. 앞쪽은 emitter, 뒤쪽은 base를 연결하고, collector는 상호 연결한다. 간단한 구조로 매우 높은 공통 이미터(com
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이번 실험에서는 먼저 달링턴 회로를 구성하고 회로의 입/출력 임피던스와 전압이득을 구한다.
캐스코드 회로를 구현하고 Q1 과 Q2의 전압이득, 전체 전압이득을 구한다.
측정된 실험값을 바탕으로 계산된 값과, 시뮬레이션상의 이론 값을 비
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보완할 점
1. 선형성을 높이기 위한 다른 바이어스 회로
능동형 바이어스 회로
추가적인 DC 소모없이 바이어스 포인트를 증가시켜 선형성이 증가
2. 캐스코드 증폭기 회로
CMOS FET는 높은 무릎전압과 낮은 항복 전압을 갖는다
1) 큰 전압 스
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