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커패시터까지 제거한 후 전압을 측정하고 계산해봤더니 은 약 622.7Ω이 나왔다. 전자회로실험 예비보고서
8장. 베이스 접지 증폭기 및
이미터 폴로워 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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실험 방법 외의 다른 저항을 사용해서 실험을 더 해보니 거의 정확한 값을 얻을 수 있었다. 앞으로도 실험 강의 자료에 있는 실험 방법에만 만족하지 않고 더 나아가 다른 실험도 추가적으로 해보는 자세를 갖도록 해야겠다. 전자회로실험
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실험을 통해 확인하는 시간이었습니다. 지난학기 전자회로 시간에 배웠던 다이오드는 순방향에서는 약 0.7V 의 전압이 걸리고 전류가 잘 흐르는 특징을 가지고 있었고, 역방향에서는 회로가 끊어진듯한 특징을 확인 할 수있었습니다. 역방향
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회로도는 직렬연결이고 가변저항의 크기에 따라 각각 전압강하가 일어난 것을 확인 할 수 있었고 가변저항을 통해서 강하되는 전압의 크기를 전자회로시간에 배운 전압분배법칙을 이용하여 조절 할 수 있었다.
<실험 3> 휘스톤브리지 회
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실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험
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실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시
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회로
두번째 회로의 컬렉터 귀환 바이어스 회로를 앞선 실험 9의 고정 바이어스와 비교한다면, 전자에서 베이스 저항은 고정 전압 V_CC에 연결된 것이 아니라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 연결되어 있다. 그러므로 컬렉터 귀환 구조에서 베이
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회로 시뮬레이션(C=0.05μF)
< 4. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
설계1. C 측정회로 설계를 통하여 기존 전자회로 실험을 통해 배우고 익힌 회로에 대한 이해와 응용을 설계를 통하여 알아보았다.
지난 실험5. 능동 필터 회로에서 다룬 저역
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실험을 통해 그동안 배운 회로에 대한 응용에 대한 지식과 자신감을 갖는 좋은 기회가 되었다.
< 5. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN, PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교재
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회로의 bias는 시뮬레이션 값과 측정값이 거의 동일하였다.
두 번째 실험에서는 Closed-loop 구성에 대한 증폭단 특성을 알아보는 실험이었다. 전자회로2에서 Feedback개념과 loop gain이라는 용어가 등장한다. Feedback이 입력에 영향을 주어 회로 특성
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