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실험 회로 Ⅰ에서 a 와 b를 연결하지 않으면 330Ω으로는 전기가 흐르지 않으므로 a,b사이의 전압은 2kΩ의 전압과 같다.
∴ V= ×5≒3.33V
Rab값을 구하려면 RL을 단락 시킨 상태에서 전압원을 단락시킨다. 1kΩ과 2kΩ에 대해서 330Ω은 직렬의 회로를
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테브난과 노턴 등가회로에서 RTH, VTH, IN사이에는 어떠한 관계가 성립하는지 유도하라.
RN=RTH 이고 VL=VTH-ILRTH를 바꾸면 VTH=VL+ILRTH이 되고 여기에VL=RTH(IN-IL)를 대입하면 VTH=RTHIN 의 식을 얻을 수 있다. 따라서 이 셋의 관계는 VTH=RTHIN 임을 알 수 있다
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정리의 경우 기전력 대신 전류가 전원인 트랜지스터 회로 같은 데에 유용하다. 물론 모든 회로는 Thevenin 회로 또는 노튼 등가회로로 서로 바꾸어 나타낼 수가 있기 때문에 이 둘 사이에도 변환할 수 있지만, 그래도 변환할 필요 없이 둘 중에
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정리와 노턴의 정리 이 두 정리는 복잡한 회로를 간단히 만들 수 있는 법칙이다. 태브냉의 정리는 전압원과 저항의 회로가 테브난 등가로 전환할 수 있음을 설명하는 것이고 노턴의 정리는 내부 저항 과 병렬한 정전류원으로 이루어진 간단한
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전압원과 전류원
-이상적인 전원은 부하 저항의 크기에 관계없이 항상 일정한 전압 또는 전류를 공급해주는 장치
-<그림 7.13>은 이상적인 전압원과 전류원의 특성을 나타낸다.
3. 예비과제
(1),(2) 그림참조
(3) 1.5[V] 건전지에 100[㏀]을 연결
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등가원 을 의미한다. 측정된 값들을 표 8.1의 칸의 1200Ω 난에 기록하라.
(7) 그림 8.4의 회로에서 노턴 전류 의 값을 계산하고, 표 8.1의 칸의 1200Ω 난에 기록하라.
(8) 그림 8.4의 회로에서 노턴 분류 저항 의 값을 계산하고, 표 8.1의 의 1200Ω 난에
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1. 관련이론
직렬회로
전류는 회로에서 오직 하나의 경로만 갖는다. 전류는 첫번째 소자뿐만 아니라, 두번째 소자의 저항도 받으므로 회로의 총 저항은 각 저항의 합이 된다.
R = R1 + R2 + R3
회로의 전류는 회로에 걸린 전압을 총 저항으로 나
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저항값은 직병렬 회로 공식을 적용하여 단자에 걸리는 값을 계산할 수 있다.
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘테브난의 정리’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학
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분배 바이어스
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=5016
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%8A%B8%EB%9E%9C%EC%A7%80%EC%8A%A4%ED%84%B0
테브난 정리
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%85%8C%EB%B8%8C%EB%82%9C%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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바이어스
기초전기전자공학 5판 김종수
기초전자회로실험 남춘우 역
전압 분배 바이어스
기초전자회로실험 남춘우 역
회로 해석 방법
현대전자회로 장학신 저
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
NAVER 지식백과 (테브난의 정리)
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