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74125 IC 핀 배치도를 참조하여 4개의 게이트 중 1개를 선정하여 그림의 3상태 버퍼(tri-state buffer) 회로를 구성한다. 74125의 7번 핀은 접지하고, 14번 핀은 +5V의 전압을 인가한다. 1번 핀은 인에이블(enable) 단자다. 2번 핀에 입력신호를 넣고 3번 핀에
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회로에 DMM을 연결하기 전에 측정단위부터 맞출 것.② 측정치의 크기를 예상하고 측정범위를 맞출 것.③ 전류측정 상태에서 DMM의 도입선을 전원에 직접연결하지 말 것.
≪ … 중 략 … ≫
Ⅱ. 설계 실습 계획
3.0 Time constant가 1
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실습 계획
3.0 RLC 직렬회로에서 R에 걸리는 전압을 출력이라 하였을 때 공진주파수가 15.92 ㎑, Q-factor가 1인 bandpass filter를 설계하라. RLC 병렬회로에서 R에 걸리는 전압을 출력이라 하였을 때 공진주파수가 15.92 ㎑, Q-factor가 1인 bandstop filter를
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회로에 DMM을 연결하기 전에 측정단위부터 맞출 것.② 측정치의 크기를 예상하고 측정범위를 맞출 것.③ 전류측정 상태에서 DMM의 도입선을 전원에 직접연결하지 말 것.
≪ … 중 략 … ≫
Ⅱ. 설계 실습 계획
3.1 DMM으로 전압을
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연결된 캐패시터
- 직렬연결된 캐패시터의 총 캐패시턴스(용량)의 역수는 개별 용량의 역수의 합과 같다.
3. 실험계기 및 부품
- 보드 장치대 BR-3
- 실습보드 NO-07(CAPACITOR and CAPACITANCE)
- Digital LCR Meter
- 회로 연결 cord
4. 실험방법
1. 2개의 0.1㎌(
C_2}
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회로에 적용하는 방법을 천천히 배워나갈 수 있을 것이다.
Ⅱ. 설계실습내용 및 분석
4.1 3.1의 설계를 기반으로 하여 DMM을 저항측정 mode에 놓고 측정범위를 잘 조정한 후 DMM을 사용하여 저항(5% 10kΩ 30개)을 측정하여 기록하라(x축과 y축
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치도를 참조하여 그림과 같은 디코더 회로를 구성한다. 입력의 상태를 표와 같이 변화시키면서 출력 상태를 기록하여라. 여기서 인에이블 단자인 4번, 5번 핀은 접지하고, 6번 핀은 +5V의 전압을 인가한다.
C
B
A
Y7
Y6
Y5
Y4
Y3
Y2
Y1
Y0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
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실습 계획
그림 1과 같이 이 부하인 브리지회로의 Thevenin 등가회로를 이론 및 실험으로 구하고 비교하려 한다.
≪ 그 림 ≫
3.1 브리지회로에서 에 걸리는 전압과 에 흐르는 전류는 얼마인가?
▶ KVL법칙을 적용하면
Mesh
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회로는 어떤 회로인지 동작을 설명하여라.
▷ 실험 결과 2진코드를 입력받아 3초과 코드로 변환하는 회로임을 알 수 있습니다.
EX) 0000(0) -> 0011(3), 0101(5) -> 1000(8)
회로
결과
시뮬레이션 논리회로 실습 보고서 - 코드 변환기
[1] 7486 IC 핀
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실습 계획
3.1 (a)건전지의 내부저항이 어느 정도일 것 같은가? (b) 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하라. 단, 가능한 한 측정에 의한 전력소비가 최소가 되도록 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하라.
≪ 그 림
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