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특성을 갖는다.
- 전원만 가지고 동작을 할 수 있다.(정특성 동작)
- 단위 면적당 사용 할 수 있는 Memory 수가 작다.
- 속도가 매우 빠르다.
- 트랜지스터(4~6개)를 많이 사용한다.
- 3상태 버퍼가 기본 SRAM Cell의 입력과 출력에서 쓰기와 읽기를 결정
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트랜지스터의 크기 축소(혹은 스케일링)가 제한되어 고집적도의 메모리 소자 구현의 걸림돌로 작용하고 있다. 실제로 ISSCC 2002에서 발표된 4Mbit급 (@0.18 um rule) 상변화 메모리 시제품은 전극가열식 구조 MOS형 대신 고전력형 Bipolar 트랜지스터를
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트랜지스터 포화상태 확인----------------------(p.7)
6. P-spice를 활용한 설계 시뮬레이션
(1) Trans (공통모드 / 차동모드) 해석------------------------(p.8)
(2) AC sweep (공통모드 / 차동모드) 해석--------------------(p.8)
(3) 이론값들과 시뮬레이션 값
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transistor logic)이라 하며 장점은 스피드가 가장 빠르고 출력임피던스가 낮으며 출력분기 수가 크고 잡음발생이 적다. 단점은 소비전력이 크고 잡음여유가 적으며 다른 논리회로와 혼용이 어렵다.
2) 유니폴라형(MOS형) IC(저속, 고임피던스, 저전
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특성
종류
속도
전파지연
소비전력
동작 주파수
약자
표준TTL
보통
10[㎱]
10[㎽]
36[㎒]
TTL
고전력TTL
고속도
6
22
50
H. TTL
저전력TTL
저속도
33
1
3
L. TTL
쇼트키TTL
고속도
3
19
125
S. TTL
저 쇼TTL
보통
9.5
2
45
LS. TTL
※ IC의 디지털 논리군의 특성 비교
①
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transistor.pdf 1. JFET(Junction Field Effect Transistor)
(1) JFET의 기본적인 구조
(2) 동작원리 및 출력특성
① N-channel JFET의 동작원리
② P-channel FET의 동작원리
2. MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor FET, 금속 산화막 반도체 FET)
(1) 기본구조
(2) 동작원리
①
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트랜지스터로 어떻게 구현하는지 알아보시오.
② XOR 게이트를 최소의 2입력 AND, OR, NAND, NOR, NOT 등을 이용하여 구현해 보시오.
③ TTL, ECL, MOS, CMOS에 대하여 조사하시오.
④ 카르노 맵을 이용하여 진리표를 부울 대수 방정식으로 만드시오.
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transistor.pdf 1. JFET(Junction Field Effect Transistor, 접합 전계효과 트랜지스터)
(1) JFET의 기본적인 구조
(2) 동작원리 및 출력특성
① N-channel JFET의 동작원리
② P-channel FET의 동작원리
2. MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor FET, 금속 산화막 반도체 FE
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MOS형) : MOS형 FET가 중심
2. 혼성(HYBRID) IC
1) 박막(薄膜) IC : 증착법으로 제조
2) 후막(厚膜) IC : 인쇄법으로 제조
Ⅵ. 전자공학과 증폭기
1. 증폭기
2. 분압기
3. 여러 가지 전자 소자들
4. 스위치
5. 서미스터
6. LDR(광저항)
7. 마이크로폰
8.
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트랜지스터) 등 구동부를 휠 수 있는 유기화합물(OTFT)로 만든 것을 말합니다.
※참고자료
● 디스플레이산업의 소자별 규모와 디스플레이의 제조 원가 비교 Display의 종류
1. CRT(Cathode Ray Tube)
● CRT의 원리
● CRT의 구조
● CRT의 특성
● C
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