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특성을 가지며, 현재 광섬유 링크에 사용되고 있다. 비기계식은 물질의 굴절률을 변화시켜 전파하는 광의 위상을 변화시킴으로써 광의 강도를 온오프하는 방식이다. 빠른 교환 속도, 높은 신뢰성, 양산성의 장점이 있으나 아직은 개발 단계
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트랜지스터와 R,L,C로 구성되지만, 발진기는 그 외에 공진기를 사용합니다. 실험하면서 들으신 크리스탈 발진기의 경우 공진기를 크리스탈로 사용한 예입니다.
공진기를 사용하는 이유는 위에서 언급한 위상잡음의 특성을 좋게하고, 신호의
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트랜지스터를 일체한 포토카플러, 포토인터럽트 등을 조합한 것을 복합형 광센서라 한다.
포토다이오드어레이, PSD,CCD 이미지 센서, MOS이미지 센서, 투과형 포토인터럽트, 반사형 포토인터럽트가 있다.
■압력센서
물질이나 물체의 질량을 측
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원소의 기본 스펙
http://100.naver.com/
6. 갈륨과 비소의 정보
http://blog.daum.net/keyoice/13257164 -서론
MOS 트랜지스터란?
트랜지스터의 발전동향
-본론
후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
최적의 반도체 재료 선정
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30MHz 이하의 고주파용도 있습니다.
전계효과 트랜지스터（FET)
진공관과 비슷한 원리로 입력 전압으로 출력 전류를 제어하는 특성을 갖고 있습니다．
접합형 FET : 입력 게이트가 반도체의 접합으로 구성되고 있는 ＦＥＴ 로 트랜지스터와 비
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많은 종류는 사용하지 않는다.
디지털 회로에서는 ON 아니면 OFF의 2차 신호를 취급하기 때문에 트랜지스터의 증폭 특성에 대한 차이는 별로 문제가 되지 않는다.
회로 기능은 대부분이 IC로 처리하는 경우가 많다.
디지털 회로에서 트랜지스터
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표의 결과를 이용하여 특성곡선의 그래프를 완성하여라.
2. 결과 및 고찰
트랜지스터의 베이스와 컬렉터에 전류를 보내주어서 그때 측정되는 컬렉터와 이미터사이의 전압과 컬렉터에 측정되는 전류의 관계를 시간에 따라 조사하여 그 특성을
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1. Mos 트랜지스터란?
2. Mos 트랜지스터의 발전 동향.
본론
: 부제 - 재료 탐색
1. 후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
1-1.Sn
1-2.Ge
1-3.Ga
1-4.As
1-5.InP
2. 결과_최적의 반도체 재료 선정
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트랜지스터와 동일하게 이종 반도체의 접합면이 되어 있는 것이다. MOS와 동작 원리가 달라서 접합면에 생기는 공지층에 의하여 전류를 제어한다.
MESFET(Metal Semiconductor FET) : 게이트 부분이 금속 전극과 반도체에 집적 접합되어 있는 것
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트랜지스터에 비해서 큰 입력 임피던스를 가지고 있으므로 전압증폭소자에 적합하다.
③ 잡음특성이 양호하여 소신호를 취급하기 좋다.
④ 제조과정이 간단하고 집적회로에서 차지하는 공간이 적어서 집적도를 아주 높게 할 수 있다.
-단점
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