|
특성PPT
◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사
◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리 Ⅰ. MOS의 원리
Ⅱ. MOS의 제조공정
Ⅲ. CMOS의 원리
Ⅳ. CMOS의 인터페이스
1. CMOS와 TTL의 interface
2. TTL과 CMOS의 interface
Ⅴ. 논리계열의 특징
참고
|
|
|
일함수
qФF : 반도체에 대해 진성 Fermi 준위 Ei보다 아래쪽으로의 Fermi 준위를 측정한 것(이것은 얼마나 강하게 이 반도체가 p형으로 되어 있는지를 나타냄) 1 MOSFET 동작원리
2 문턱전압
3 MOS 케패시터
4 MOS 전계효과 트렌지스터
|
|
|
3.1 MOSFET의 특성
3.1.1.
(a) 센서 (무부하 출력: 정현파, 40mVpp, 5 kHz, 10 kΩ 부하: 20 mVpp)의 출력을 증폭하여 10 kΩ 부하에 1.5Vpp 이상의 전압이 걸리도록 아래 회로와 같은 Common source amplifier를 설계하라. 인터넷에서 2N7000의 data sheet를 찾아서 계획
|
|
|
[ERROR : 10731] 오류 발생.
|
|
|
트랜지스터의 구조
- 트랜지스터의 동작
- 내부에서 전자의 움직임
- 트랜지스터의 특성 표시
- NPN & PNP 트랜지스터
|
|
|
트랜지스터의 특성
실험9-1 : 정류 회로
1. 목적
2. 이론
1. 정류 회로
1.1 반파 정류 회로
1.2 전파 정류 회로
1.3 Bridge 정류 회로
1.4 평활 회로
3. 실험 기구
4. 실험 방법
실험9-2 : 트랜지스터의 특성
1. 목 적
2.
|
|
|
지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
<작동점을 구하기 위한 트랜지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
<작동점을 구하기 위한 트랜지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
< 특성 곡선의 Y축 그리기 >
[2]
|
|
|
0.999로 하면 β는 약 1000이 되어 1000배로 증폭된 컬렉터 전류가 흐르게 된다. 이것이 트랜지스터의 증폭작용이다. □ 트랜지스터의(Diode) 개요
□ 트랜지스터의 종류 및 특성
□ 트랜지스터의 동작원리
□ 트랜지스터의 증폭작용
|
|
|
특성, VBE-IB 특성에서는 VCE에 의해 특성이 그다지 변화하지 않으므로, 어떤 크기의 VCE일 때의 특성 곡선 1개만 나타내어 있는 경우가 많다.
(2) 최대 정격
① 트랜지스터에 가할 수 있는 최대 전압, 흘릴 수 있는 최대 전류를 최대 정격이라 한다
|
|
|
트랜지스터의 증폭작용이라 한다.
실험 기구
① 트랜지스터 ② 건전지 ③ 기판 ④ 저항
⑤ 오실로스코프 ⑥ Function Generator
실험 방법
(1)TR의 콜렉터 특성 곡선
① 위 그림처럼 회로를 꾸민다.
② IB를 10 mA로 조정한다. VCE를 1,2,3,4,5,6v로 변화 시
|
|
메뉴펼치기
