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(1) 실험 1-1-1에서 구한 전류 이득 값을 이용하여 이론값을 구하고, 실험 및 앞에서 구한 계산 결과와 비교한다.
e. 전류 이득
- 이론값
- 실험값
- 비교
(2) 실험 1-1-1에서 구한 트랜지스터의 β 값과 값을 이용하여 회로 1, 2, 3 의 특성을 Electron
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트랜지스터의 컬렉터에서의 전압의 공급과 비슷한 형태임을 생각할 수 있다. 일반적으로 트랜지스터의 각 단자에 전압을 가해 주게되면, 에미터-베이스간에는 순방향의 바이어스를 가해주게 되고, 컬렉터-베이스간에는 역방향의 바이어스를
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특성 곡선이 제대로 나오지 못하였지만 그 다음 3.6V , 5.6V를 보면 비슷하게 나온 것을 알 수 있다.
I_{ B }
의 값에 따라
I_{ C }
의 값도 같이 커지게 된다. 그리고
I_{ C }
의 값은 어느 일정한 전압 이상에서는 일정한 전류를 흐르게 된다는 것
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특성은 금속의 온도 특성과 정반대의 성질이며 반도체가 갖는 매우 중요한 성질이다.
홀(hole, 정공)은 다른 전자를 당겨서 안정하려고 한다. 홀에 이웃하는 전자가 이동하여 홀을 채우면 이탈한 전자가 있던 자리에는 전자의 공석이 생긴다.
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특성과 바이어스 회로
[1] 트랜지스터의 특성
☞ 바이어스란 ? PN 접합에 외부 전압을 가하여 동작 시키는 것
1) TR의 구조
에미터 : TR의 전류 반송자를 주입
베이스 ; 에미터로 부터 주입된 반송자를 제어
컬렉터 : 반송자를 모으는 부분
2) TR
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특성곡선을 얻기 위해서는 먼저 , 그 후에 시켜서 얻는다. Pspice에서 이작업을 할 때 이 순서는 매우 중요하다.
그림 6의 특성곡선은 “”될 때마다 한 개의 곡선이 생긴다.
그림 6에서 각 영역은 다음과 같은 작용을 한다.
(대개의 트랜지스터
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론
이 실험에서는 트랜지스터의 동작 특성에 대해 실험하였는데 트랜지스터를 이용하여 이미터, 컬렉터, 베이스 사이의 전류를 측정하고 베이스 전류에 따라 입력되는 전압에 따라 측정되어 나오는 출력 값이 다르다는 것을 알 수 있었고 그
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치하고 와 의 극성을 바꾼다.
7. 을 닫고 를 최대치로 둔다. 를 닫고 와 를 측정하여 기록한다. , 및 를 측정하여 기록하고 극성을 나타내어라.
8. 를 최소치로 두고 요구하는 대로 미터 범위를 바꾸어 , , 및 를 측정하여 기록한다.
9. 및 를 개방
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하고 콜렉터와 에미터 단자 사이에 큰 전압을 인가해 주어서 이것을 출력으로 활용하면 입력전압의 파형변화에 따라 출력이 나타나기 때문에 증폭된다고 한다.
<출처>
네이버 블로그,까페
http://blog.naver.com/takebliss?Redirect=Log&logNo=40063968059
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estad, LOUUS NASHELSKY 저
http://cafe.naver.com/whduddn0317
컬렉터 특성
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://naotow1.tistory.com/23154
알파, 베타
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
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