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실험을 진하였다. 실험은 R1 저항을 교체하면서 파형의 변화를 알아보는 실험으로 회로를 구성하고 저항만 교체하며 파형을 비교하는 과정으로 진행하였다.
실험결과 R1의 변화는 전압의 크기에 변화를 가져왔고 또한 회로의 발진주파수에도
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클램핑 회로가 파형에 어떠한 영향을 주는지 다이오드와 저항, 커패시터 그리고 건전지를 이용한 회로를 만들어 커패시터에 걸리는 전압과 출력 전압의 측정을 통해 확인 요약문 1
실험내용 1
실험결과 5
문제점 및 애로사항 8
설계프로
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결과적으로 이 회로의 구조가 변수 변화에 덜 민감한 것이다.
컬렉터 귀환 회로에서의 이론적 전압 해석은 V_CC-(I_C+I_B ) R_C-I_B R_B-V_BE=0 이고 식 I_C=βI_B 식을 통해 정리하면 쉽게 전류를 구할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시
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전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
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실험.NMOS 증폭기
1.Orcad 결과
<공통 - 소스 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
<공통 - 게이트 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측
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실험결과
1) 실험 1 : 맥박 측정기(Hardware)
≪ 사 진 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
실험결과분석 : 회로도는 센서부 -> 2차 HPF -> 2차 LPF -> 증폭기(911배) -> 2차 HPF ->
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실험 시간동안 여러 자리에서 같은 실험을 할 기회가 있었는데, 같은 값을 입력시키고, 같은 회로와 같은 부품을 사용하여도 결과 값이 다르게 나온 경우도 있어서, 오실로스코프와 함수발생기 때문에 오차가 발생한 경우도 있었을 것입니다.
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실험에서 함수발생기를 쓰지 않고 윈 브리지 회로의 기능을 통해 정현파를 만들어 내는 것을 확인할 수 있었습니다. 윈 브리지 회로의 비교기와 적분기부분을 지나는 부분의 출력파형을 오실로스코프로 확인하였을 때 그 결과 값이 정현파,
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결과로 그래프 용지에 다이오드의 특성곡선(다이오드의 전류 대 전압)을 그려라.그래프로써 다이오드의 장벽전위()와 순방향 저항()를 결정하고 표1-2에 그 결과를 기록하라.
3) 브레드 보드로부터 전원을 제거하고 그림 1-4(c)의 회로를 결선하
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파형에 따른 출력파형의 변화에 대하여 실험을 통하여 알아보았다. 대해 실험을 통하여 보다 쉽게 이해할 수 있었다.
< 4. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008. < 1. 설계 검증 내용 >
< 3. 실험 결과에 대한 토의 및
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