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을 제거하고 (즉 short 시킨 후) Multi-meter를 이용하여 단자 사이의 저항을 측정한다.
⑥ 가 와 일치하는 지 확인해 본다.
(1) [그림 2]의 회로를 결선하시오. 여기에서 는 4.1의 회로와 같은 값을 선택한다.
(2) 단자 사이의 전압을 측정한다.
: 이론
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b-c 사이의 저항을 측정한다.(, 를 각각 측정한다.)
⑨ 가변저항의 저항이 정도 되도록 조절한다. Multi-meter를 이용해, 먼저 의 값을 측정한 뒤, 이 되도록 조절한다. 이때 , 를 측정, 기록한다.
⑩ Bread board에 조절한 가변저항을 이용하여 , 가 병
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(3) 측정값과 이론값의 오차는 Digital Multimeter의 내부저항 때문에 발생한다. 즉 전압을 측정하기 위해 multimeter(전압측정)를 병렬로 연결하면 내부저항이 병렬로 연결된 것과 같은 효과가 있기 때문이다. 내부저항을 라고 할 때 (2)의 결과를 이용
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기와 oscilloscope, 1kΩ 저항과 0.1uF capacitor를 준비한다.
② bread board에 다음과 같이 회로를 결선한다.
③ 함수발생기를 이용해, 진폭이 1V이고, 주파수는 1kHz인 전압을 회로에 인가한다.
④ 함수발생기의 주파수를 조절하여, 가 되도록 한다. (이때
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33V
측정값
3.3303V
3.3405V
3.3414V
오차율
0%
0.2%
0.8%
각 저항의 공정상의 오차로 정확히 이 아니어도 결과의 오차율이 매우 작은 이유는 바로 각 저항 값의 비를 계산해 보았을 때 거의 비슷하기 때문이다. 이는 저항 값은 작아졌지만 대신 세 개의
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2n=100[%]로 하여 전압과 전압강하를 퍼센트로 나타내면 무부하 2차단자전압은 V2n = 100 + ε[%] 그림에서 을 연장하여 점a로부터 이것에 그은 수직선과 만나는 점을 d라 하고 전압변동율을 구해본다면
따라서
전압변동율은 다음과 같다.
3. 변압기
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전기전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학
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압을 감소시켜 이 전압을 기록한다. 특히 값이 문턱전압에 가까워 지면 저항 값이 급격히 증가함으로 작은 전압에서는 몇 개의 데이터만 측정한다.
위 과정을 계속 반복하여 저항 과 값을 기록한다.
실험노트에 저항 를 값의 함수로 plot 한다
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핑 현상이 관찰되었다. 시뮬레이션값과 실제 실험값의 오차가 거의 없다고 할 수 있다.
2. 비고 및 고찰
이번 실험은 MOSFET 공통 소스 증폭기 주파수 특성을 알아보는 실험이었다. 이 중에서 우리는 전류 소스를 부하로 사용한 능동 부하 MOSFET
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공학협회 회원들의 윤리적 행동에 대한 지속적인 관리가 필요함
공학협회 회원들이 윤리적인 행동을 할 때 그에 대한 협회 차원의 지원
본론: 공학윤리헌장
(1) 기술사협회
(National Society of Professional Engineers)
(2) 전기전자공학협회
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