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전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
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.
%△ =
%△ =
%△ =
7. 의 % 변화를 계산하라.
%△ =
이론
5. 트랜지스터의 에 대한 % 변화를 계산하라. 이후 모든 계산에서 실험 책에서 주어진 공식을 이용하라.
%△ =
6. 베이스, 컬렉터, 이미터 전류의 % 변화를 계산하라.
%△ =
%△ =
%△ =
7.
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레벨을 0에서 20dB 까지 조절한다.
출처
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%98%A4%EC%8B%A4%EB%A1%9C%EC%8A%A4%EC%BD%94%ED%94%84
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%95%A8%EC%88%98_%EB%B0%9C%EC%83%9D%EA%B8%B0
https://blog.naver.com/yd5334/130087019393 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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접합
https://ko.wikipedia.org/wiki/PN_%EC%A0%91%ED%95%A9
저항
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%A0%80%ED%95%AD
http://codingrun.com/65
브레드보드
http://codingrun.com/67?category=678395 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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크기로 슬라이스하게 된다(이것을 출력 포화되었다고 한다). 1. 목적
2. 이론
3. 예비레포트
- Op-Amp 란?
- 반전 증폭기 & 비반전 증폭기
- Function Generator의 기능 및 사용법
4. 결과레포트
- 실험 및 실험방법(직접실험사진첨부)
- 고찰
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안정하다 하지만 전압 분배기 바이어스 처럼 안정하지는 않다.
전압분배 바이어스 -Q점이 가장안전하고 회로는 복잡하다 1.제목
2.목적
3.기본이론
4.실험방법
(1)사용 기계
(2)사용 부품
5.결과 및 고찰
(1)결과
(2) 고찰
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같이 증가함에 따라 증가함을 알아볼 수 있었다. 또 이 감소함에 따라서 전압이득이 감소함을 알 수 있는데, 이는 = 으로 의 감소로 인해 값이 작아지고 전압이득은 이기 때문에 전압이득이 감소하였다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
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변동, 측정자의 주의력 동요 등에 의한 우연 오차가 있을 수도 있다.
무엇보다 FET의 여러 가지 Bias 회로에 대해서 알 수 있었고, 각 Bias 마다 전압의 특성, FET의 용도에 대해 명확히 알 수 있었다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
3. 토의
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실험을 진행한다.
4.주의사항
잘못된 회로 같은 경우에는 전류를 조절하여 높일 때, 전압이 증가를 하지 않는 경우가있는데,
이 경우 즉시 회로를 점검하여, 잘못된 부분을 수정해준다.
고장부위 확산을 막기위함.
Reference
[전자회로실험]
이현
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