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달링턴 회로: 달링턴 회로는 두 개의 바이폴라 접합 트랜지스터를 접속하여 하나의 ‘superbeta’ 트랜지스터로 작동하도록 한 회로이다. 앞쪽은 emitter, 뒤쪽은 base를 연결하고, collector는 상호 연결한다. 간단한 구조로 매우 높은 공통 이미터(com
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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~ 14 V로 설정하고, 두 주기의 입/출력 파형이 출력되도록 설정하시오. Run to time =
(단, 트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율과 차이를 보일 수 있음)
그림 5-16
Schematic
Vo (Vdd= 9 V)
Vo (Vdd= 10 V)
Vo (Vdd= 11 V)
Vo (Vdd= 12 V)
Vo (Vdd= 13 V)
Vo (Vdd= 14 V)
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회로의 Schematic들과 입력-출력전압들의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라. 단, 두 주기의 입출력 파형이 출력되도록 설정하시오. Run to time = . (단, 트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율과 차이를 보일 수 있음
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하고, 두 주기의 입출력 파형이 출력되도록 설정하시오. Run to time = . (단, 트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율과 차이를 보일 수 있음)
Schematic (Differential mode)
Differential Mode (vi+, vi-, vo1, vo2)
Schematic(Common mode)
Common Mode(vi+, vi-, vo1, vo2)
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실험에 사용할 회로를 삽입하고, 간단한 동작원리에 대하여 설명하고 실험의 전반적인 Procedure를 설명하고 무엇을 측정하여 어떠한 것을 얻고자 하는지를 설명한다. PSPICE 시뮬레이션 결과를 여기에 삽입한다. 여러 개의 회로를 실험했을 경우
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BJT와 같이 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)은 차단, 포화, 선형의 세 가지 영역에서 동작한다. JFET의 물리적 특성과 JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도
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관련 이론, 시뮬레이션 결과, 실험방법 및 유의사항 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 5
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회로이다.
위의 회로에서 op amp의 + 단자는 접지되어 있다. Op amp에서 + 단자와 ? 단자는 같은 전압을 유지하기 때문에 + 단자와 ? 단자는 그라운드 전압 0V를 유지하고 있다. op amp로 흘러 들어가는 전류는 0이다. 따라서 저항에 흐르는 전류는
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다이오드는 단방향적 특성을 가지므로 양방향 전류를 단방향 전류로 변환하는 정류(Rectification) 작용에
다이오드가 응용된다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
(별지) 측정 Datash
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