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가 병렬, 그리고 이들은 직렬로 연결됨 을 알 수 있으며, R4와 R3에 걸리는 전압을 구한 후, 그 차로써, 개방회로의 전압을 알 수 있다.
전압분배법칙을 이용하면,
VTH = VBD-VCD =
② RTH 를 구하기 위해, 전원 Turn off 후, 부하저항 R5을 개방, 개방된
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가정하고,
R1 = 45Ω R2 = 150Ω RL(부하) = 47Ω 이라 하자. 여기에서 노턴 등가 회로에서의 각 값을 구하여 보자.
① 은 부하저항 RL이 단락되었을때, 단자 F, G를 흐르는 전류이다. 중첩의 원리를 이용하여 구해보자.
1. 을 구하기 위해, 먼저 저항 RL을
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전원은 가 단락 회로로 대체되고, 전압 전원 만이 있을
때보다 에 흐르는 전류가 (크다, 작다).
작다
4. 그림 6.1에서 회로의 해에 대한 중첩의 원리를 적용할 때 는 ____ 로 대체된다.
단락회로,
5. 그림 6.1의 회로에서 에 걸리는 전압은 _____V이다
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르는 전류는 공급된 전체 전류 로부터 나누어지는데,
각 소자로 흐르는 전류 는 , 이므로,
전체 전류 는 다음과 같다.
,
, 여기서 이 결과는 전류 훼이저도와 같음을 보여준다.
(3) 실험 (5)의 절차에서 : 개방, : 단락, : 단락시킨 상태에서 전류
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60
237.9406
6688.852
11960.2
7062.372
1.416
+ 80
257.9406
6170.217
12965.51
8262.324
1.21
+ 100
277.9406
5726.217
13970.82
9490.173
1.054
③ 계산된 값을 이용하여 주파수에 대한 Z, I의 그래프를 그림 17.3의 주파수 특성 곡선
과 같은 형태로 그려라.
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대하여 조사하고 커패시턴스 C값에 영향을 미치는 요소를 열거하라.
(3) 실험절차 (1),(2)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.1과 표14.2의 형식으로 구성하라.
(4) 실험절차 (5),(6)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.3과 표14.4의 형
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의 범위에서 저항을 측정할 수 있다. 저항이 일 때 측정하면 브리지는 의 현재 값으로 평형이 될 수 없다. 브리지가 평형을 이루려면 ratio arms의 설정을 바꾸어야 한다.
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조절이 정확하게 맞지 않으므로 무게측정에서 오차가 생겼을 수 있다.
6. 참고 문헌
-일반물리학실험/북스힐 159~163쪽 참고 전자전기공학 - 쿨롱의 법칙
1.목적
2.원리
3. 기구 및 장치
4. 실험방법
5. 결과 및 토의
6. 참고 문헌
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전자전기공학
Resistor, capacitor,
Inductor의 특성과 응용
저항기(Resistor)란?
≪ 사 진 ≫
≪ 그 림 ≫
• 전기회로에서 전류의 흐름을 막아서 회로의 작동, 제어를 하는 부품
탄소피막 저항기
(Carbon Film Resistor)
≪
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대한 부하 전류 을 계산한다. 계산된 값들은 표 8.1의 의 계산값 아래에 기록하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회, 2006년, 111-123페이지)
6. 시뮬레이션
실험 책 page 117 에 그림 8.4
을 구하기 위한 회로 을 구하기 위
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