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이전에 미리 전기회로이론에서 배운 내용을 숙지하여 전압, 전류, 저항 값들을 이용하여 원하고자 하는 결과값을 미리 알고 있는 것이 중요하다고 생각했다. 1. 실험과정 및 실험결과
2. 실험결과 분석
3. 실험 결론
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대하여 Bread board에 직렬로 연결한다. 여기에서 저항은 이다.
(2) DC power supply를 이용하여 를 에서 까지 씩 증가시키면서 저항에 흐르는 전류 과 저항에 걸린 전압 을 측정하여 주어진 표에 기록하시오.
1V
2V
3V
4V
5V
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
(3) 저항을 으로
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대 power 전달
<실험개요>
① 과 저항 은 앞의 실험과 동일하게 준비하고, 10kΩ의 가변저항을 준비한다.
② 10kΩ 가변저항의 저항값을 Multi-meter를 이용하여 측정한다.
③ Multi-meter를 이용하여 의 값과 값을 같게 조절한다.
④ Bread board에 전압
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b-c 사이의 저항을 측정한다.(, 를 각각 측정한다.)
⑨ 가변저항의 저항이 정도 되도록 조절한다. Multi-meter를 이용해, 먼저 의 값을 측정한 뒤, 이 되도록 조절한다. 이때 , 를 측정, 기록한다.
⑩ Bread board에 조절한 가변저항을 이용하여 , 가 병
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대한 multimeter의 내부저항은 다르다) 내부저항을 라고 할 때 (5)의 결과를 이용하여 내부저항 를 구하시오.
[그림 1] [그림 2] [그림 3]
4.2 건전지의 내부저항
(1) 새 건전지와 오래된 건전지의 전압을 multimeter를 이용하여 측정하여 기록한다.
새 건
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대한 입력전압(sine파, =1V, 주파수 )에 대한 capacitor의 출력전압에 대한 파형이다. capacitor의 출력전압의 최대전압은 753.331mV로 입력전압에 대하여 감소하였고, Vp1/Vp2= 파장을 구해보면 706.974us이다. 따라서 주파수를 계산해보면 1414.47Hz가 나타난
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33V
측정값
3.3303V
3.3405V
3.3414V
오차율
0%
0.2%
0.8%
각 저항의 공정상의 오차로 정확히 이 아니어도 결과의 오차율이 매우 작은 이유는 바로 각 저항 값의 비를 계산해 보았을 때 거의 비슷하기 때문이다. 이는 저항 값은 작아졌지만 대신 세 개의
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대의 크기를 가지며 가 를 초과하여 증가하면서 의 크기가 감소하는 것을 볼 수 있다.
< Plot vs >
- 직선으로 연장하였을 때, 축과 만나는 점이 이 MOSFET의 문턱전압인데, 대략 2V정도의 값이 문턱전압임을 확인할 수 있다.
- 기울기를 계산해
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대한 실험이었다. 저항을 부하로 사용하는 공통 소스 증폭기도 있지만, 우리는 전류 소스를 부하로 사용한 증폭기에 대한 실험만 임하였다.
- 실험 순서 1)은 공통 소스 증폭기 회로를 구성하는 것이었다. 회로를 구성한 후 값을 측정하였는데
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전기신호를 증폭, 가감산, 곱셈, 나눗셈, 미적분을 가능하게 하는 전기소자로써 Op-Amp로 전기신호를 증폭하는 방법은 반전증폭과 비반전증폭 2가지가 있다. 먼저 반전증폭은 출력신호가 입력신호와 반대의 파형으로 증폭되는 것이다. 그리고,
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