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홀은 전자의 hopping에 이한 이동이며 degenaracy되어 있기 때문이다. 실험에서 자기장의 세기가 커질수록 홀 전압이 커짐을 볼 수 있는데 이것은 이론에서 홀 전도도가 자속밀도 B의 역수에 비례하는 것으로 해석할 수 있다.
Ⅵ. Conclusion
홀효과는
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이론
1. 물리 상황
≪ 그 림 ≫
홀효과를 실험하기 위한 물리적 상황은 위 그림과 같다. 금속이나 또는 반도체에 전류를 흘려 보내고 전류와 수직한 방향으로 자기장을 걸어준 뒤 자기장과 전류 모두와 수직한 방향의 전압을
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홀 전압의 정확한 인식이 중요하다. (반도체의 경우 이동도가 큰 GaAs뿐만 아니라 이동도가 작아 측정이 어려운 GaN의 측정이 가능하면 홀효과 측정 장비의 정도가 뛰어나다고 판단된다.)
캐리어의 농도(n, p) Bulk Concentration
= 1/ q RH
(q = 전하량 = 1
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석의 극에 따라 전압의 변화가 다르게 나타난다. 그리고 그 차이를 알아보고 비교 해보는 것이 이 실험의 목표라고 할 수 있다. 홀효과는 전하가 한 쪽으로 치우침으로 인해 전하가 몰려있는 곳과 그렇지 않은 곳 사이에 전위차가 발생하는 현
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홀효과 실험
Hall Effect
1. 실험 소개
-실험 목적
은과 텅스텐, 두 금속에 대하여 홀 전압과 자속밀도의 비례를 검증하고 전하 캐리어의 극성을 결정한다. 또한, 홀 상수 전하 캐리어의 농도를 계산한다.
-실험 이론
홀효과는 로렌츠 힘에 의해
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홀 IC라 하면 대부분 스위칭 출력 타입을 말한다.
*홀효과*
-1879년 대학원생 Edwin Hall에 의해 발견 Conductors, semiconductors, insulators의 전도성 연구에 널리 이용되고 있음
-전하 수송체(Charge carrier)의 종류(양전하, 음전하)
-전하 수송체 밀도(Charge carri
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홀 효과에서 발생하 는 전압의 극성은 P형과 N형이 반대가 된다.
(2)홀 전압 : 홀효과에 의해 발생되는 전압을 홀 전압이라 한다.
(d: 고체의 두께(m), B: 자속 밀도 (Wb/m3), I: 전류(A), R: 홀 상수(m3/C))
다이오드
p형 반도체와 n형 반도체에 어떤 전압
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Hall Measurement ( 홀 측정)
Hall effect 란?
≪ 그 림 ≫
- 자기장에 놓여진
고체에 자기장과 수
직인 전류가 흐를
때, 그 고체 내부에
횡단방향의 전기장
이 생성되는 현상.
(홀전압=홀효과)
Hall Measrement 의 목적
- Hall 효
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홀은 전자의 hopping에 이한 이동이며 degenaracy되어 있기 때문이다. 실험에서 자기장의 세기가 커질수록 홀 전압이 커짐을 볼 수 있는데 이것은 이론에서 홀 전도도가 자속밀도 B의 역수에 비례하는 것으로 해석할 수 있다.
Ⅵ. Conclusion
홀효과는
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효과가 예측되기도 하였다.
○ 그래핀에서 초전도성과 양자홀효과가 발견되고 p-n접합의 제작 등은 예상할 수 있다. 그래핀이 실린더 형태로 말린 것이 나노튜브이고 구형으로 되면 버키볼(buckyball)이며, 이들에 대한 수십 년의 연구로 특성이
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