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참조 (이미지) ■ 실 험 제 목 : Ohm's Law
① 실 험 목 적
② 관련 이론
㉠옴의 법칙
㉡전기저항
③ 실험 진행 및 결과
④ 확인문제 및 실험의 응용
⑤ 오차 원인 확인과 개선해야 할 점 살펴보기.
⑥ 참고문헌 및 Internet Site URL
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회로
키르히호프의 정리에 의해 전원장치의 기전력 V, 저항에서의 전압강하 VR , 축전기에서의 전압강하 VC 사이에는 다음과 같은 관계가 성립한다.
이 때, ti, Qi는 각각 처음 시각과 그때에 축전기에 들어있던 전하량이다. 처음 시각을 t
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회로의 소스에 저항을 하나 더 추가하여서 만든 회로이다.
이론
- 자기 바이어스 회로 해석
이므로 저항 는 단락회로로 대체할 수 있다. 이므로 폐회로에 KVL을 적용하면
로 선택하면 가 되고 이 값을 토대로 직선을 그려 쇼클리 방정식 그래프
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저항을 통해 구한 전류 값들과 비교했을 때 거의 일치된 값을 구하였다. 망로전류법을 실험적으로 입증한 것이다. 이론으로 배운 것을 실험적으로 입증한다는 것이 매우 기쁜 일이 아닐 수 없다. 이번 실험 또한 성공적으로 마칠 수 있었으며,
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저항으로 구성된 등가회로로 표현하는 방법으로 테브난의 정
리 및 노튼의 정리를 이해하고, 실험을 통해 확인한다. (2) 전원이 갖고 있는 내부 저항의 영향이 실험 결과에 미치는 영향을 이해하고 실험을 통해 확인한다. 2. 실험 이론
(1) 테
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회로, 전류원은
개방회로로 대치.
3.중첩 원리 적용 : R, L, C 등 선형소자에만 적용.
2)테브냉의 정리
1.테브냉의 정리 : 2개의 독립된 회로망을 접속하였을 때 전원회로를 하나의 전압원과 직 렬 저항으로 대치한다.
2. R0 : 전압원을 단락하고 출
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회로로 바꾸는 방법이
다.
- 테브난 정리 : 다음의 회로처럼 등가회로를 만들어 합성저항을 구할 수 있다. 개방단의 저항은 모든 에너지원이 작동하지 않도록, 전압원을 단락하고 전류원은 개방하여 구한다.
- 노턴의 정리 : 2개의 독립된
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회로, 전류원은 개방회로로 대치.
③ 중첩의 원리 적용 : R, L, C 등 선형소자에만 적용.
[2] 테브냉의 정리
① 테브냉의 정리 : 2개의 독립된 회로망을 접속하였을 때 전원회로를 하나의 전압원과 직렬 저항으로 대치한다.
② R0 : 전압원을 단
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회로,실효값과 평균값의 차이, 그리고 정류기의 필요성 및 사용례와 정류회로의 구성 및 이론등을 배울 수 있었다. 멀티미터가 지시하는 값이
일정하지 않아서 오실로스코프에 나타나는 파형을 기준으로 최대입력값을 7.5V로 잡고
실험을 진
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저항을 변경하는데 있어서 가변저항의 범위를 확인하면서 실험한다. 가변저항은 500Ω과 1000Ω이 준비되어 있다.저항 값을 변경한 것에 대한 회로도를 그림으로 그려서 공식과 함께 정리한다.
4. Data & Results
모든 저항은 3.3
회로
데이터
이론값
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