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레이션 하라
NMOSFET의 전압분배 바이어스 동작점
이론값
시뮬레이션 값
2.16V
2.177V
5.3V
5.235V
1.66mA
1.574mA
■ 모의실험회로 3 : NMOSFET 공통 소스 증폭기 회로를 시뮬레이션 하시오
Ch A의 출력값의 평균이 “0”이 아니라서 DC Offset을 1mv로 주어 평균
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실험을 통해 배울 수 있었다.
다이오드 하나는 문턱전압만큼 걸리는 것과 같다. 하지만 다이오드를 Si와 Ge, 두개를 사용했다면 했다면, 작은 전압만 걸린다.
전압이 걸리지 않은 것 은 오프되어 있는 상태 라는 중요한 이론을 알게 되었다.
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회로.
▷ 이상적인 OP AMP의 특성
㉠ 개회로 상태의 이득은 │A v│= ∞가 된다.
㉡ 입력 저항은 R i = ∞가 된다.
㉢ 출력 저항은 R o = 0이 된다.
㉣ 주파수 대역폭이 BW = ∞이다.
㉤ 오프셋(off set ) 전압 및 전류가 0이다 (zero offset ).
㉥ 온도에 따라
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0
1
X
1
X
0
1
0
0
0
0
X
X
1
X
1
0
0
0
0
0
1
1
0
X
과목명
기초회로실험
교수
교수님
학년
학년
학번
이름
제출일
2010.04.29
기초 회로 실험
실험 8. 인코더와 디코더 회로 예비보고서 Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 이론
Ⅲ. 실험 준비물
Ⅳ. 예비과제
Ⅴ. 실험 예상
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회로에서의 옴의 법칙을 확인한 실험에서는 오차가 무려 37.67%나 나왔다. 실험 할 때 앞의 실험들과 동일하게
한 것 같은데 어째서 병렬회로실험에서만 이렇게 큰 오차가 난 것인지 모르겠다. 1. 목적
2.실험도구 및 장치
3. 이론
4.
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실험 2)를 반복한다.
4.3 가산 증폭기
1) 위와 같이 회로를 구성한다. R1=1kΩ, R2=2kΩ, R3=390Ω
2) R1과 R2에 0V, -15V를 번갈아 인가하며 그에 따른 출력 전압을 디지털 멀티 미터로 측정하고 이론값과 비교한다.
4.4 적분기
1) 위와 같이 회로를 구성하고 R
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A Vin , A = ,
2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
28 uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
■ 모의실험회로 1-2 : 2단 증폭기 회로
이론 값
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실험방법 및 순서
예비보고서에서 설계한 D/A 변환기를 구현하고, 그 동작을 확인하시오.
예비보고서에서 설계한 S/H 회로를 구현하고, 그 동적을 확인하시오.
예비보고서에서 설계한 A/D 변환기를 구현하고, 그 동작을 확인하시오.
실험 결과
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회로를 기본으로 하여 설계된 회로를 구성하고, 전압과 전류를 측정하여 기록한다.
5. 내용 출처
교과서 : 기초전기회로실험 -Zbar/Rockmaker/Bates(Seventh Edition), 네이버 백과사전 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험 준비물
4. 실험 과정
5. 내용 출처
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기록된 값과 비교한다. 이들 값으로부터 회로의 어떤 부분이 잘못되었는지를 결정한다. 잘못된 부분을 찾는 과정을 기술하고, 회로를 바르게 교정한다.
과정16
VAA
VA
VB
VC
25V
25V
24.34V
12.17V
표3-3 1. 실험 목적
2. 이론 요약
3. 결과예측
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