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1. From y = c1ex +c2e−x we find y = c1ex −c2e−x. Then y(0) = c1 +c2 = 0, y(0) = c1 −c2 = 1 so that c1 = 1/2
and c2 = −1/2. The solution is y = 1
2 ex − 1
2 e−x.
2. From y = c1e4x + c2e−x we find y = 4c1e4x − c2e−x. Then y(0) = c1 + c
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프로브
4.예상치 :
5.참고서적 :
전기전자 기초실험 (청문각)
회로이론 7e (교보문고)
http://blog.naver.com/josm3123/
http://cafe.naver.com/eleroom.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=1 1.실험 제목
2.실험 목적
3.실험 이론
4.결과 예상치
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회로의 테브난저항 Rt를 계산하라.
2. 실험 1에서 100㏀이나 10㏀의 저항을 사용하였을 때의 오차율은 그다지 크지 않았을 것이다. (Rb에 전압계를 대고 전압을 측정한다.) 두 개의 저항이 같다면 테브난등가전압은 V/2(=5V)가 되고 이론적인 단락전
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(1) 십진수 123.125 를 단정도 부동소수점으로 표현하려면 우선 123.125를 2진수로 나타내야한다. 123.125를 2진수로 표현하면 1111011.001(2)이 된다.이를 정규화된 2진수로 표현하면 1.111011001 * 2^6 이 된다.
단정도 방식 부동소수점은 1비트의 부호비트,
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이론치(진폭과 위상)를 구하고 실험에 의해 측정된 값과 비교하라.
3. 구형파를 사용한 경우에는 v가 작지 않으므로 i=Vg/Rg 의 식이 성립하지 않는다. 함수발생기의 테브난등가저항 Rt를 포함하는 등가회로에서 i에 대한 미분방정식을 쓰고 그
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대 피크 진폭이 이고, 평균값이 0인 구형파에 대한 문제 13.16(b)에서 구한 결과와 일치한다.
13.19 (a) 그림 P13.19에 보인 반복되는 단일-사이클 사인파의 푸리에 급수를 구하라. 단, 라고 가 정하라.
(b) 일 때, (a)에서 구한 식을 간단히 하라.
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4
(c) Y = G + j(c - )
= + j(6.28×1000×20×10 -
= 0.1 + j(0.1256-0.15924)
= 0.1 + j(-0.03364)
= 0.1 - j0.03364
=
=
10-7 그림 p 10-6의 각 회로에서 단자전압 V = 10가 인가될 때 I를 구하고 V,
I의 페이저도를 그려라.
(a) I = YV
= (0.07286)(10)
= 0.7286
(b) I = YV
= (0.0118084)(10)
= 0.11808
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문제 2-8을 절점해석법에 의하여 풀어라.
그림과 같이 절점을 잡으면 방정식은
위의 두 식을 연립해서 풀면
, 이다.
V 와 I를 구하면 이다.
3-7 그림 p 3-7의 회로에서 절점해석법에 의하여 각 지로전류를 구하라.
(힌트 : 좌측 절점전압을 이라 하
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회로로 바꾸면 (c)와 같아지고, 전류분배를 쓰면
이다.
4-5 그림 p 2-10에서 (a) 단자 a-b 좌측에 대한 테브난의 등가회로와 노턴의 등가회로를 구하라. (b)단자 a-b 사이에 10Ω의 저항을 연결할 때의 를 구하라. 이상을 문제 2-10의 결과와 비교하라.
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: 일 때 를 흐르는 전류는 10mA 가 되게 하면 된다.)
sol) 전류분배를 써서 에 1mA가 흐르게 하면 된다.
2-7 그림 p 2-7의 회로에서 , 를 구하여라.
sol)
그림에서 보듯이 왼쪽그림을 오를쪽 그림과 같이 3개의 저항이 합성된 회로로 바꿀 수 있을 것이다
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