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전압
을 얻기 위해 Vps를 조절
한다.
(6)스위치를 모두 단락시키고 It, Vps, VL을 측정하여 기록한다.
(7)공식을 이용하여 Pps값과 PL값을 계산하여 기록한다.
4.실험 예비 보고서
(1) 330 저항의 전류는 0.1A이다. 저항에 소비된 전력은 3.3 W이다.
(2) 저항
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전압의 파형을 출력하는 실험도 해보았는데 예비보고서에서 설계한 회로와 일치하였고 예상출력파형도 대체적으로 잘 맞았다. 또 가변저항을 통해 저항이 작아짐에 따라 출력파형의 진폭이 더 작아지는 것도 확인할 수 있었다.
저항을 연결
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전압이득이 크다는 사실을 확인 할 수 있었고, 주파수 특성도 좋아 고주파에서도 사용이 가능할 것이라는 생각을 해보았다.
또한 입력저항이 낮기 때문에 공통 베이스의 회로를 혼자서 쓰는 것 보다는 전류 이득이 1에 가깝고 출력 저항이 크
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전류를 공급하 는 테브닌 등가회로로 변환해야 한다.
[그림 25-2] 테브닌 정리를 이용한 비평형 브리지 회로 해석
회로에서 를 제거하고, 그림 25-2(b)의 회로를 에 대해 풀면 테브 닌 전압 를 구할 수 있다. BD와 CD사이의 전압 차는 일 것이다. 전
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전류가 공급되지 않는다. 따라서 저항에는 전류가 거의 흐르지 않으므로 아무런 전압도 나타나지 않는다.
그림 5.4 역방향 바이어스의 정류
그림 5.1의 회로를 Pspice를 이용하여 시뮬레이션 하였다. 그림 5.1의 회로를 시뮬레이션하기 위한 스키
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전류 값을 측정할 때 전지의 전압을 측정할 때 정확한 값을 측정하지 못 한 점과 수치를 제대로 읽어야 하는데 정확히 읽지 못 해서 이런 오차가 생겼을 거라고 추측한다. 회로도가 4개이고 각각의 전류흐름의 방향이 다르기 때문에 이점을 유
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전류가 공급되지 않는다. 따라서 저항에는 전류가 거의 흐르지 않으므로 아무런 전압도 나타나지 않는다.
그림-Ⅳ 역방향 바이어스의 정류
그림-Ⅰ의 회로를 Pspice를 이용하여 시뮬레이션 하였다. 그림-Ⅰ의 회로를 시뮬레이션하기 위한 스키
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전압을 가지며, 실험에 사용한 빨간색 발광 다이오드는 약 1.8V의 문턱 전압 값을 가진다.
11. 제너 다이오드는 순방향으로 연결했을 때, 일반 실리콘 다이오드와 같은 성질을 가진다.
12. 키르히호프 전류, 전압 법칙을 통해 LED 제너 다이오드에
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(3) 입력 전압 조절
6. 정전류 전원회로
(1) OPAMP와 TR을 조합한 정전류 전원 회로
☆ 부 록 ☆
(1) 트랜지스터 도통테스터 및 전극 찾기
(2) 저항기의 용량 표기 및 판독법
(3) 콘덴서 용량 표기 및 판독법
(4) 회로도와 패턴도 보는 방법
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전류전달률은 실험상 0.9-1.0의 값을 가지게 되었는데 이것은 실제 이론상 값인 0.9-1.0과 일치하다는 것을 확인 할 수 있었다. 실험 4. 트랜지스터 특성 I (결과 레포트)
3. 실 험 과 정
4. 실 험 결 과 사항
5. 예비보고 사항 문제
5. 검
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