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오차라고 생각한다. 실험을 하면서, 전압이 자꾸 바뀌었는데 그것이 회로의 접촉불량이었다고 생각한다. 그래서 전체적으로 실험값이 많이 달라진것 같다. 3. 실 험 과 정
4. 실 험 결 과 사항
5. 예비보고 사항 문제
6. 검토 및 논의
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어려워 설명서보면서 사용했는데 몇 번 반복하다보니 흥미로웠다!!!! 다음실험은 우리조가 직접 한 회로로 결과물을 보고싶다.ㅠㅠ 4.1 목적
4.2 해설
4.3 예비문제
4.4 사용 기기 및 부품
4.5 실험내용
4.6 실험분석
4.7 연습문제
느낀점
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전압을 분배한다.
④ 콘덴서 : 코일건의 원리에서도 알 수 있듯이 전류를 많이 흘리면, 자계의 세기가 강해
지고 그에 따라서 자속밀도도 증가하게 된다. 코일건의 위력은 자속밀도의 자
승에 비례하기 때문에 전류의 증가는 코일건의 위력의
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전류는 각 전원이 단독으로존재한다고 했을 경우 그 점의 전위 또는 전류의 합과 같다. 또한 중첩의 원리가 적용이 되는 회로를 선형회로라 한다. 중첩의 원리를 적용시킬 시 주의해야 할 점은 다른전원을 제거할 때에는 전압원은 단락(Short a
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전압 파형(실험값)(20mV/div, 2ms/div)
※ R을 오픈했을때 노드 9 출력전압 파형(pspice)(최대값 : 44.115mV)
※ R을 오픈했을때 노드 9 출력전압 파형(실험값)(20mV/div, 2ms/div)
표2. CC BJT증폭기의 교류해석에 관련된 파라메터들
입력저항
Ri=vs /is
전류이득
Ai =
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되어 있다는 사실만을 이용하여 부하 저항에 흐르는 전류의 값을 쉽게 구할 수 있었다. 또한 부하 저항의 값이 커질수록 그 저항에 흐르는 전류의 값이 작아짐을 측정할 수 있었다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. PSpice 시뮬레이션 및 고찰
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전류이 방향은 역방향일 때 (-) 값을 취해 주어야 한다.
◆ 키르히호프의 법칙을 사용할 때 순서
ⓐ 회로의 각부분에 흐르는 전류의 크기, 방향을 적당히 가정하여 표기한다.
ⓑ 회로내의 모든 분기점에 대하여 제1법칙을 사용하여 방정식을 세
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서로 같다고 볼 수 있다.
시뮬레이션
C4+C5 직열연결시 전압측정 할 때
전류측정 할 때
C3+C4+C5 직열연결시 전압측정 할 때
전류측정 할 때
C4+C5 병렬연결시 전압측정 할 때
전류측정 할 때
C3+C4+C5 병렬연결시 전압측정 할 때
전류측정 할 때
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예비실험 1.] 위의 예제 7.1을 Pspice로 실행하시오.
C2 = 0.001uF , RA = 2.2KΩ , RB = 100KΩ
t1 = 0.693(100K)Ω(0.001uF) = 69.3 micro초
t2 = 0.693(100KΩ + 2.2KΩ)(0.001uF) = 70.8 micro초
T = t1 + t2 = 140 micro초
f = 1/T = 1/140 micro초 = 7.14KHz
듀티비 = (70.8/140) x 100% = 50.5%
파형을 보면
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전류는 을 얻는다. 여기서 는 t=0에 해당하는 처음 전류이다.
고정된 전원 전압 하에서 저항을 통하여 커패시터가 충전되는 경우에 시간에 따른 전류는 키르히호프의 법칙으로 결정될 수 있다.
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그림 2. 시간에 따른 커패시
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