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브리지는 “역전압 보호”로 사용될 수 있다. 전지가 반대로 삽입되거나 직류 전압이 반대로 연결되어도 내부회로를 보호하고 정상적인 전원을 공급하는 일반적인 기능을 가능하게 한다.
브리지 정류회로 회로도
시뮬레이션 결과 값
[확대]
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브리지회로(bridge circuit)를 구성한다. 그림에 표시된 전류계가 0A를 나타내도록 가변저항을 조절하고, 이때의 R1, R2, R3, R4의 저항값들을 기록한다. 그림에 표시된 전류 I가 0이기위한 R1, R2, R3, R4 사이의 관계식을 구하고, 실제로 이 관계식이 성
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브리지회로를 이용한 저항측정
9. 키르히호프 법칙의 검증
10. 오실로스코프 및 신호발생기의 사용법
11. 커패시턴스의 특성
12. 인덕턴스 특성
13. 브리지회로를 이용한 L,C 측정
14. R-L, R-C 회로 특성
17. 공진회로 특성
18. 오실로스코프의 x-
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회로,Y회로의 경우는 상호 변환이 이론
적으로 이루어졌을 때의 값과 실험으로 측정한 값을 직접 확인할 수 있었다.
다만 실험(5),(6)에서 변환한 값을 바로 측정한게 아니라 약간의 혼란의 소지가 있었다.
또한 브리지회로에서 평형관계를 유
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아날로그 3장 브리지 회로와 ? ????? 등가회로 변환, 측정문제 및 해설
아날로그 4장 노드전압 및 망전류 회로해석 방법, 측정문제 및 해설 아날로그 3장 브리지 회로와 ? ????? 등가회로 변환, 측정문제 및 해설
아날로그 4장 노드전압 및 망
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회로에 걸리는 전압이 높아지면 전류가 커지고, 전압이 낮아지면 전류는 작아진다. 그리고 저항기에 걸리는 전압 또한 전압의 변화에 비례하여 걸린다. 공급 전압이 0이 되면 회로 내에 흐르는 전류가 0이 되어 회로는 동작하지 않는다. 1.
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7.174k
5.258k
Rx계산값
5.6k
2.2k
6.8k
5.1k
브리지 승산기
단계
최대측정
(kΩ)
R1
R2
R1/R2
R3
Rx
8,9,10,11,12
30
0.955k
2.978k
0.334
7.53k
22.71k
13
100
0.995k
10.1k
0.098
9.055k
91.66k
결과 및 토의
첫 번째 실험은 미지의 저항 Rx를 측정하는 실험이었다. 이 실험을 할때에 rati
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브리지회로를 직접 인터넷으로 찾아봄으로써 어떤 어떤 브리지들이 있는지 확인할 수 있었고 인지할 수 있다는 것이 뜻이 깊다. 확실한 것은 이런 브릿지들은 고장 원인이나 또는 미지의 저항을 측정할 수 있는 가장 유용한 회로라는 것을 간
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브리지는 위상과 크기라는 2개의 양(量)이 평형을 이루지 않으면 검출기가 0을 지시하지 않는다. 따라서 직류브리지의 경우에 비해 브리지를 평형시키는 조작이 일반적으로 복잡하다.
4. 이번실험에 쓰인 휘트스톤 브릿지의 회로가 아닌 다른
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도 센터탭을 이용한 전파정류 회로처럼 반파정류파형의 주파수의 2배이기 때문에 위에서 구한 두 회로의 VDC값보다 2배가 크게 된다. 이것이 브리지정류회로가 가장 우수하다는 우리조의 생각에 가장 큰 이유로 작용하게 되는 것이다.
그 밖에
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