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브리지 회로를 사용하여 브리지가 30kΩ까지 저항을 측정할 수 있도록 R1과 R2의 새로운 저항을 선택하고 표 9.2에 그 값을 기록하라.
(11)전원을 끄고,S1과 S2를 개방시키고 R1과 R2에 대해 선택된 저항을 이용하여 새로운 회로를 연결한다. 표준 arm
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브리지 정류회로
● 브리지 정류회로의 직류출력전압의 이론값과 측정값을 구한다.
이론값
2차 근사
DVM
12.2v
17.25v
9.5v
10.98v
10.09v
DSO
12.3v
17.39v
9.4v
<표 1 브리지 정류회로 측정>
● 브리지 정류회로의 입력 파형과 출력 파형을 그려본다.
<
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브리지회로와 중성탭이 있습니다.
1)브릿지 회로
2)중성탭
2.클리퍼
클리퍼는 입력 되는 파형의 특성 레벨 이상이나 이하를 잘라내는 회로를 말한다. 보통 Clipper라고 쓰는데 클리핑 회로 라고도 하고, 리미터(limiter)라고도 하고 진폭제한 회로
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브리지 회로에서 비교 저항값의 오차가 적어야 하고 미지저항의 접촉저항이 적어야 한다. 그리고 측정 미터기의 감도가 높아야 하고 밸런스 조정볼륨의 가변 폭이 적어야 한다.평형 브리지 회로는 정밀한 저항값 측정을 위해 사용되기 때문
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브리지회로를 이용하여 저항 측정법을 익히는 실험이었는데, 의 이론값을 먼저 구해보면 우선 브리지회로의 기본원리를 생각하여 =라는 것으로 =, =라는 식이 나올 수 있고, 두 식을 이용하여 라는 식을 이끌어 낼 수 있습니다. 따라서 =이 되
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브리지회로의 Thevenin 등가회로를 이론 및 실험으로 구하고 비교하려 한다.
≪ 그 림 ≫
3.1 브리지회로에서 에 걸리는 전압과 에 흐르는 전류는 얼마인가?
▶ KVL법칙을 적용하면
Mesh 1
15 = 390(i₁ - i₂)+ 470(i₁ - i₃)
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NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
.end
r=100k일 경우
r=10k일 경우
r=1k일 경우
r=100Ω일 경우
r= 10Ω일 경우 1.반파정류회로
2.전파정류회로
3.브리지 회로
4.리미티 회로
5.전압배가기
6.클램프 회로
7.제너다이오드특성
8.피크정류기
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회로도를 보았을 때 다이오드가 네 개나 들어가서 어떻게 회로를 구성해야하나 많이 고민했는데 회로도 그대로 짜니 값들이 잘 나와 신기했고 실험에 자신감이 붙었다. 전파브리지 정류회로 실험
1. 실험 목적
2. 실험 기기 및 부품
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3 = 2115.33Ω)
((R2 / R1)값 = 50.22, R3 = 41.9Ω, RX = 2200Ω, (R2 / R1)×R3 = 2104.22Ω)
저항기의 허용 오차 범위 내에서 RX ≒ (R2 / R1) × R3 이므로, 역시 평형 브리지 회로가 올바르게
설계되었음을 알 수 있다.
⑥ 평형 브리지 회로를 이용한 저항측정의 정밀도
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낮았다. 또한, 브리지회로에서 직접 측정한 IL값은2.947mA이었고, 테브낭 등가회로에서 측정한 IL값은 2.931mA이었다. 이것도 오차는 0.55%로 매우 낮았다. 두 가지의 경우 모두 오차가 1%이하로 매우 낮았기 때문에 대체로 Thevenin등가회로가 성립한
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