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회로
B. RC회로
C. RLC회로
D. RLC회로
0.5
0.298
0.223
12.644
1.852
1.00
1.201
0.228
13.174
1.521
1.50
1.201
0.689
15.205
1.521
2.00
0.904
0.462
18.343
2.756
4. 토론
=> 이번 실험에서는 C. RLC 회로 실험을 제외한 다른 실험의 오차율이 0.XX%~2.XX% 여서 대체로 잘 수행한 실험이
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실험 2-2 에서는 오차는 크지 않았지만, 그래프 형이 좌우 대칭이 제대로 이루어지지 않았다. 이러한 오차를 줄이기 위해서는 이상이 없는 최적 상태의 RLC 회로판과 기타 실험 기구들을 이용해야 하고, 실험을 할 때에 너무 조급하게 하지 말고
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2-6. RLC 직류회로
1. 실험목적
축전기 및 인덕터에 직류 전압이 가해질때 충, 방전되는 전압 및 인덕턴스 작용을 그래프로 관찰하고, 전기용량 C와 인덕턴스 L값이 실험값과 일치하는가를 확인한다.
2. 이론
(1) RC 회로 (콘덴서의 충, 방전)
직류전
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실험을 통해 확인할 수 있었다.
(4) 클램핑 작용
[1번 : -1V]
파형
크기
-6V~4V
0.1uF
-2V~8V
10V
1uF
-2V~8V
10V
300uF
-2V~8V
10V
0.001uF
사진 참조(찌그러짐)
0.00047uF
사진 참조(찌그러짐)
[클램핑 작용 : -1V]
[0.1uF 일 때 입력 파형과 출력 파형] [1uF 일 때 입력 파형
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실험의 2번 결과 값과 5번 결과 값을 비교해 본다면 대략 증폭률이 2정도 차이난다. 즉 예측 했던 2번 결과 값과 5번 결과 값이 거의 같다는 것을 확인 할 수 있었다. 실험목적
실험과정 및 결과
① 폐회로 이득
실험과정
② 이득 - 대역
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실험 제목: RLC 공진 회로
이름: 이**
1. 실험 측정치
(1) RLC 직렬 공진회로
R= 10Ω, L= 100μH, C= 1μF으로 설정하고 실험한 V_Rvs f 그래프는 다음과 같다.
Q factor를 10으로 바꾸기 위해서 Q_0= (W_0 L)/R에서 R을 1Ω으로 바꾸었고, Q factor를 100으로 바
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1. 실험 측정치
1) 테브난의 등가회로
V= 12v, R1= 20KΩ, R2= 20KΩ, R3= 30KΩ으로 설정하였고 RL을 60KΩ, 80KΩ.120KΩ를 선택하였다. 각각의 저항에 걸리는 전압과 전류의 실험값을 표로 나타내면 다음과 같다.
60KΩ 80KΩ 120KΩ
전압 3.571V 3.937
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이론
1. 유도성 소자
2. 인덕터
3. 자속
4. 인덕터의 전압 전류 관계
5. 인덕터 결합
6. 저역 통과 필터 (적분 회로)
7. 고역 통과 필터 (미분 회로)
8. 차단주파수, 시정수
9. RL회로가 직렬일 때 위상차
실험 방법
시뮬레이션 결과
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실험에서는 약간의 오차 때문에 정확하게 일치하지 않았지만, 유사한 그래프를 확인할 수 있었고, 공진시 전류가 최소, 임피던스가 최대에 가깝다는 것을 확인하였다.
6. 참고문헌
1) Johnson, David E, 『회로해석』, 서울:사이텍미디어, 1997
2) 박
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볼수 있다.
3번 회로-1
3번 주파수 응답-1
즉, 저항과 커패시터를 바꾼 회로에서 100Hz 이던 pole이 6.2Mhz 로 옮겨 간것을 확인 할 수 있다
이런 형식의 pole이 1e6, 1e7, 1e8 rad/sec 인 회로를 3개 연결하고 하나하나의 증폭도 값을
100k=100 * 100 *10 으로 나눠
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