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실험 1에서 전압을 갑자기 가해주면 바로 전압이 오르지 않고 서서히 오르는데 이는 축전기가 급격한 전압 변화를 막았다. 이는 전자기 유도에서 전류가 변화하는 방향과 반대로 전류가 생기는 것과 마찬가지의 원리이다. 실험 2의 RL회로에
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RC이론값 입력전압 입력전압*0.632 걸린 시간 오차 (%) 100KΩ 330㎌ 33 4.519 2.856 29.700 10% ⑤ Discussion RC회로에 대하여 실험 하였다. 실험식 에서 캐피시터에 저장되는 q 가 많이질 수록, 반대 작용되는 힘이 강해진다. 결국, 저항 R에 흐르는 전압의
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  • 등록일 2012.04.18
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RC시상수를 측정하는 실험 이였다. 같은 축전기에서는 저항이 커질수록 시간이 길어졌고, 같은 저항에서는 축전기의 크기가 커질수록 시간이 길어졌다. 오차가 제법 큰 결과 값 이 여러 개 나왔는데, 이유를 찾아보자면 회로를 만들 때 극성을
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  • 등록일 2014.05.20
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실험회로 3 : Multisim을 이용한 시간영역에서의 대역통과필터의 주파수 특성 측정 결과 주파수 [Hz] 입력 전압 첨두간 전압[V] 출력 전압 첨두간 전압[V] 전압 이득 전압 이득[dB] 10 2 0.0048 0.0024 -52.3958 100 2 0.048 0.024 -32.3958 1k 2 1.455 0.7275 -2.76334 10k 2 0
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  • 등록일 2016.05.17
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04 - NOT 게이트 74HC04 - 슈미트 트리거 74LS14 - 슈미트 트리거 74HC14 - NAND 게이트 7403(개방 콜렉터) 4. 실험절차 (1) 디지털 실험기판 위에 74LS04 NOT 게이트를 이용하여 입력 전압 실험회로를 구성하 고 입력 전압을 0에서 5V로 0.5V 씩 변화시키면서 출
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  • 등록일 2009.09.30
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두 극판 사이의 거리는 1.5cm~4.0cm 사이에서 실험하였다. 전제적으로 전압을 높여줄수록 또한 두 극판 사이의 거리가 짧아질수록 작용하는 힘이 커지는 것으로 나타났다. 1.쿨롱의 법칙 2.등전위선측정 3.KVL KCL 4.RC시상수 5.옴의법칙
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 1. 목적 2. 이론 3. RC 빈-브리지 발진기 회로 P-spice 시뮬레이션 수행 결과 4. 시뮬레이션 결과
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실험회로에서는 IC 내부의 블록인 OP amp나 플립플롭, 저항 등은 나타내지 않으며 다만 그림 9-5와 같이 IC와 외부소자의 연결만을 나타낸다. 그림 9-4. 단안정 동작과 파형. 그림 9-5. 555 단안정 회로. 3) 비안정 동작 555 IC를 그림 9-6처럼 연결하면
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  • 등록일 2009.11.24
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ttp://idec.kwangwoon.ac.kr/openlec/year99/july/070813_5/tsld125.htm 실험 결과 실험1. 실험분석 실험2 회로도 시뮬레이션 실험분석 실험3 회로도 시뮬레이션 결과 사진 결론 실험4 회로도 시뮬레이션 실험결과 실험 진리표 실험 3과의 비교
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  • 등록일 2006.05.31
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04 0.07 01101 4.76 4.77 0.08 11101 4.77 0.09 4.63 01110 4.81 0.09 0.09 11110 4.65 4.65 0.09 01111 4.79 0.05 4.79 11111 4.76 4.68 4.79 4) 실험4 VCC = 5.0V ※select가 0일때는 입력값 맨 앞숫자가 0으로 표시. select가 1일때는 입력값 맨 앞숫자가 1로 표시. sel=0 SUM0 SUM1 Carry1 sel=1 SUM0
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  • 등록일 2007.01.09
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