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시간으로부터 어느 정도 긴 시간이 지났을 때의 커패시터의 충전과 방전을 측정하였다. 이 시뮬레이션 결과를 통해 시상수가 0.1s일 때의 전압 값을 측정할 수 있었고 이는 시상수 값을 이용하여 63.2%만큼 방전되었을 때 계산한 전압 값과 50mV
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stance : 1kΩ 1개
Capacitor : 0.15㎌
Bread Board
4. 실험 내용과 방법
(1) 두 삼각함수파 사이의 위상차이 측정
① 시간영역에서의 측정 : 1kΩ저항과 0.15㎌커패시터로 <회로 4-1>을 구성하고 파형발생기의 주파수를
1kHz로 맞춘다. 입력파형과 출력파
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측정한 후 , 표 14.3과 같은 순서로 합성 인덕턴스 를 구하라.
다음은 세 개의 인덕터를 병렬연결하여 위치시킨 후 위의 과정을 반복하라.
⑥ 위의 회로에서 하나의 커패시터 대신에 , , 인 세 개의 커패시터를 직렬 연결하여 위치시킨 후 신호
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측정하여 표1에 기록한다.
2) 커패시터를 로 교환해 가면서 (1)을 반복하여 표 2에 기록한다.
3) 커패시터를 과 의 직렬합성으로 두고 (2)를 반복한다. 또, 병렬합성에 대해서도 이를 반복한다.
4) 커패시터를 의 직렬합성으로 두고 (2)를 반복한다.
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이렇게 측정된 C1과 C2의 전압을 가지고 커패시터에 저장된 에너지를 구하는 식은
(커패시터의 전류 이용)으로, 위의 표 ①에서의 C(220μF)와 V(C1과 C2의 전압)의 값을 대입하여 계산해 주면 표 ②에서와 같이 각각의 커패시터 C1과 C1에서의 저
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측정해 봄으로써 브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q지수 커패시터의 D지수 등을 측정하는데 이
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대하여 커패시터에 걸린 전압을 계산하여 표3에 기록한다.
c7. 오실로스코프를 이용하여 커패시터에 걸린 전압을 측정하고 표21-3에 기록한다. 1. 목적
2. 이론
3. 실험과정
A. 캐패시터의 방전
B. 커패시터의 충전
C. 구형파 입력
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볼 때, 전체적으로 큰 오차 없이 커패시터의 값을 만족하는 수치가 나왔다. 직접 실험에서도 보다 정확한 저항 값을 갖는 저항과 정확한 주기 측정을 한다면, 용량을 모르는 커패시터의 용량을 보다 정확히 측정할 수 있을 것이다.
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측정값
횟수
저항 R
커패시터 C
시간상수
%오차
계산값
T=RC
실험값
조건
평균
1
10K
10F
0.1s
충전:0.1s
0.105s
5%
방전:0.11s
2
50K
10F
0.5s
충전:0.6s
0.58s
16%
방전:0.55s
3
100K
10F
1.0s
충전:1.1s
1.05s
5%
방전:1.0s
4
100K
47F
4.7s
충전:5.5s
5.6s
19%
방전:5.7s
5
100K
100F
10s
충
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측정값
횟수
저항 R
커패시터 C
시간상수
%오차
계산값
T=RC
실험값
조건
평균
1
10K
10F
0.1s
충전:0.1s
0.105s
5%
방전:0.11s
2
50K
10F
0.5s
충전:0.6s
0.58s
16%
방전:0.55s
3
100K
10F
1.0s
충전:1.1s
1.05s
5%
방전:1.0s
4
100K
47F
4.7s
충전:5.5s
5.6s
19%
방전:5.7s
5
100K
100F
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