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설계 목적
1. 전극에 이온을 주입할 때, 주입량과 Does량의 대한 변화 값 측정
2. 주입량 변화에 따라,Dose량과의 변화가 있는지를 I-V 그래프로 살펴 보겠다.
설계 조건
기판 고정값
Environment Title nMOSFET
substrate dopant
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I-V 특성실험
1. 특성곡선을 이용한 순방향시의 저항값과 역방향시의 저항값
2. 다이오드의 등가모델과 실제 측정 곡선과의 차이
2) 제너 다이오드의 I-V 특성실험
1. 제너다이오드의 역방향시 I-V특성곡선
2. 사용한 제너다이오드의 br
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I-V특성곡선을 나타내기 위해 오실로스코프 X-Y모드 출력파형을 이용하였고 그 결과 Si의 동작점이 Ge의 동작점보다 크다는 결과를 얻게 되었다. 이러한 결과값의 이유는 Si와 Ge의 재료의 성질이 서로 다르기 때문에 각 장벽의 전압이 서로 다르
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I-V특성 실험은 Si3N4로 breakdown을 측정하고, SiO2로 누설전류를 측정했다. 먼저 측정한 Si3N4는 게이트에 가하는 압에 따라서 전류가 증가하지만 가하는 전압이 어떤 값을 넘어서면 절연체와 반도체 사이에 축적된 다수 캐리어들이 게이트 방향으
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)].이때 우리는 순방향-도통 다이오드가 도통(turn-on)되었다고 말한다.또는 간단히 온(on)되었다고 말한다.
그림1) 이상적인 다이오드
(a) 다이오드 회로기호; (b) i-v 특성; (c)역방향으로 동작할 때의 등가회로;
(d) 순방향으로 동작 할 때의 등가 회
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I-V 특성 측정
위의 조건에서처럼 Si기판위에 증착된 Al의 I-V 특성을 측정을 통해서 이미 우리가 알고 있는 이론적인 값들과 실제적인 측정값이 얼마나 다른지 알아보았다.
- p-type 기판위에 Al을 도핑한 I-V 특성 측정
- 옆에 나온 사진은 p-type 기
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I-V특성 기울기에 반비례한다.
<소신호 확산 저항의 개념을 나타내는 곡선>
2.2 소신호 어드미턴스
1) 정성적 해석
: n영역에서의 정공과 p영역에서의 전자의 충방전 기구는 커패시턴스를 유발한다. 이를 확산 커패시턴스(diffusion capacitance)라
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특성곡선() 및 전달특성곡선()상에서 3정수를 구하는 방법
<그림5. MOSFET의 I-V특성>
rd(드레인저항)는 출력특성곡선( - )에서 기울기 값의 역수를 취하여 구할 수 있고
gm(상호컨덕턴스)은 전달특성곡선( - )에서 기울기 값으로 전달 특성곡선
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1.Objective
Growth 된 반도체 칩을 여러 공정을 통해 Fabrication 하여 I-V특성까지 파악.
각 공정에 쓰이는 장비의 사용목적과 쓰임을 안다
각 공정단계를 간편화 정밀화 함으로써 더욱 더 좋은 Quality 를 갖는 반도체 소자를 만들 수 있도록 연구&
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PN Diode 특성 분석
1. 실험 목표
다이오드의 I-V, C-V그래프를 통해, 분석을 하여 그 특성을 살펴본다.
parameter
remark
Is
Saturation Current
Rs
Ohmic reistance
Vj
Built-in potential
Cj
Zero bias capacitance
n
Ideality factor
T
Life time
2. Parameter 별 분석 방법
I-V 특성 곡선
우
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