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전문지식 93건

N0=1 IN1=X일 때] WR0=1 WR=0 IN0=1 IN1=X 일 때 0bit입력을 받아 0이 저장 되고 출력은 0(0V)이 출력된다. 2 bit RAM [WR0=0 WR=1 In0=X In1=1일 때] WR0=0 WR=1 IN0=X IN1=1일 때 1bit입력을 받아 1이 저장되고, 출력은 1(5V)이 출력 된다. 2 bit RAM A1, A2, A3, A4에 의해 주소가
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  • 등록일 2012.03.11
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Command line 7. Voltage reference 8. Rambus Memory device Ⅱ. Rambus DRAM (Dynamic Random Access Memory) 1. 개요 2. SDRAM 과 DRDRAM 3. 클럭의 전송 4. 동작과 특징 5. RSL (Rambus Signaling Level) 6. 장점 7. 단점 8. 대역폭과 레이턴시 - 두가지의 메모리성능
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  • 등록일 2004.05.28
  • 파일종류 한글(hwp)
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메모리로서 SRAM과 동등한 수준으로 고속 읽기/쓰기가 가능하며 DRAM과 같이 고집적화할 수 있는 새로운 메모리인 MRAM (Magnetic Random Access Memory)의 잠재능력이 시제품 제작으로 입증되면서 새로운 메모리로서 시장에 진출할 채비를 갖추어 가고
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  • 등록일 2005.12.22
  • 파일종류 한글(hwp)
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메모리 3총사 중에 가장 집적도가 떨어진다는 단점을 안고 있다. ★ summary ■ RAM(Random Access Memory) : RAM은 전기적인 형태로 데이터를 저장하여, 임의의 위치(주소)에 있는 데이터를 수정할 수 있지만, 대신 전원이 끊기면 데이터가 소멸하는 메
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  • 등록일 2007.05.03
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1.강유전체 메모리(FRAM)란? Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자. 강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메
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  • 등록일 2007.01.15
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memory (캐시 메모리) ◎ SRAM (static random access memory) ◎ DRAM (dynamic random access memory) ◎ PROM (programmable read-only memory) ◎ EPROM (erasable programmable read-only memory) ◎ EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory) ◎ MaskROM (마스크롬) *참고사이트
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  • 등록일 2004.02.26
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
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* 램RANDOM ACCESS MEMORY 의 약자 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리로서, 전원이 꺼지면 기억된 내용은 지워져 버린다. 휘발유처럼 날라가 버리기 때문에 휘발성메모리 (Volatile Memory)라고 한다. 따라서 램은 컴퓨
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  • 등록일 2005.11.02
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Memory Access) - CPU를 거치지 않고 입출력 장치와 메모리 사이에 보다 빠른 데이터를 직접 전송하는 방법 4. 채널(Channel) - 가장 효율적인 입ㆍ출력 방식 (1) 채널의 종류(08년 1회 정보처리 기사출제) - Selector Channel : 고속 입출력 장치에 사용하
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  • 등록일 2012.03.13
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메모리를 어떻게 나누며(나뉘어지는 주소), 그 명칭은 어떻게 다르게 불리우는가에 주의를 하며 보는 것이 좋다. 기본 메모리(Conventional Memory) 메모리의 0Kb부터 640Kb까지의 부분, 필수적인 DOS 프로그램들과 사용자가 사용하면서 실행시키는
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  • 등록일 2005.05.29
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Random Access Memory의 약자로 각 비트에 순서에 관계없이 임의번지로 접근 (random access) 할 수 있는 메모리이다. 데이터 유지를 위해 항상 전원을 필요로 한다. DRAM의 경우는 기억재생을 위하여 전원을 주기적으로 공급하며, SRAM 의 경우에는 데이터
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  • 등록일 2020.12.28
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