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측정하기가 너무 어렵다는 것을 확인 할 수 있습니다.
< R = 100KΩ , C = 0.1μ 일 경우 >
위 실험에서 저항이 1KΩ일 때와는 다르게 R=100KΩ일 때는 충전과 방전상의 그래프가 63.2%가 되는 점까지 도달하지 못한다는 것을 확인 할 수 있습니다. 그
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c) 이 측정을 통하여 실제 DMM으로 측정한 전압을 어느 정도까지 믿을 수 있는가?
(a) 측정 전압을 이용하여 DMM의 내부저항을 계산하라. 회로도를 그려서 설명하라.
전압분배법칙을 이용하면 다음과 같은 식을 세울 수 있다.
Vo=R*5/(22+R)
(단, Vo는
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실험을
통해 확인할수 있는 기회였고 오실로스코프의 사용법에 대해서 숙지할수 있는 좋은 기회가 된것
같다.
7. 참고문헌
- 제어시스템해석 및 설계 (Raymond T Stefani)
- 공학실험(한국항공대학교)
- 회로해석 및 반도체소자 전지전자공학개론1(G
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실험으로 측정할 수 있었으며 X축 Y축을 모두 사용함으로써, 커패시터와 저항이 만드는 위상차를 측정할 수 있었고, 또한 주파수의 차이에 의한 리싸주 모형을 관찰 할 수 있었다. 이러한 실험은 우리가 이론적으로만 알고 있던 전자 이론에
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실험에 사용한 각 저항들의 경우 본래 이론치보다 1~5% 정도 차이가 났는데, 이 때 발생하는 오차들은 직접 멀티미터로 저항값을 측정하여 최소화 할 수 있었다.
또한 회로를 만드는 과정에서 도선이나, 빵 판 내부의 저항과 캐패시턴스, 인덕
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= 0.6mA
V₁ = 0.0005×1000 = 0.6V
V₂ = 0.0005×3300 = 1.98V
V₃ = 0.0005×4700 = 2.82V
+V₁-
+V₂-
V
+V₃-
그림 6-5 KVL 실험을 위한 회로 실험준비보고(1장)
실험준비보고(2장)
실험 3. 직류전압의 측정
실험 4. 옴의 법칙
실험 6. 키르히호프의 법칙
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측정실험이다.
다이오드 전류-전압 특성실험회로를 구성한 다음 직류전원 공급장치의 전압 조절기를 0V에 두고 정원을 가하여 오실로스코프나 멀티메터를 이용하여 양단간의 직류전압(순방향 전압)과 저항 양단간의 전압을 각각 측정한다.
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회로 :
리액턴스
=26.539kΩ
0.8484mA
0.159mA
0.863mA
Z=4.915kΩ
♣RL 병렬회로 :
리액턴스
3.768kΩ
0.8484mA
1.125mA
1.409mA
Z = 3.0106kΩ
♣RLC 병렬회로 :
리액턴스
26.539kΩ
3.768kΩ
4.319kΩ
0.9821mA
0.8484mA
1.297mA
3.270kΩ
5.참고 서적 :
전기전자 기초실험(청문각)
Fundamentals
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회로이론 시간에 수식으로만 접하던 저항, 캐퍼시터의 임피던스를 직접 측정하고 실험과정을 통해 직접 증명하는 과정은 평소 아무 생각 없이 외우고 사용하던 식의 의미와 원리를 이해하는데 많은 도움이 된 것 같다. < Part 1 , and versus F
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실험은 단상 회로에서 L과 C를 연결함에 따라 전압, 전류, 전력이 어떻게 측정되는지 알아보는 실험이다.
실험 1의 R-L회로에서는 L은 교류에서 일종의 저항의 역할을 하면서, phasor를 변화시키는 역할을 한다는 것을 알 수 있었다. 또한 R-C회로
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