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저항을 측정하여 기록하고 입력신호를 기준으로 하여 R. L, C에 걸리는 전압을 스케치하라. 이론과 잘 맞는지 확인하라. 임계감쇠 저항의 계산치와 실험치의 오차(%)는 얼마인가? 오 1. 설계실습내용 및 분석
1) 그림 1과 같이 회로를 구성하
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코일이든 관계없이 단락회로로 작용하므로 전기적인 의미가 없다는 것, 교류회로(교류전류)에서는 자기 자신에 유도된 기전력으로 인해 저항 0인 도선에도 전압이 걸리게 된다는 것이다. 상당히 어려운 실험 이였지만 많은 것을 배운 것 같아
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실험과정에 기록
(2) E=15V, R=20Ω, L과 C는 설계한 값을 사용할 때 D=0.4인 경우 Va, iL, iD, is, ic의 파형을 그리고, Imax, Imin 을 각각 구하라.
예상했던 각 파형들의 모습을 확인할 수 있었습니다.
IL은 회로의 인턱터로 흐르는 전류의 모습이고, 두 번
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회로를 구성하여 커패시턴스 값을 측정해 봄으로써 브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q지수 커
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남아서 정류작용을 한다.
6. 축전기 : 주로 전자회로에서 전하를 모으는 장치
배경 이론-4
4개의 다이오드를 사용한 회로는 브리지정류라고 도 불리며 전파정류의 일종이다. 1. 실험목표
2. 배경이론
3. 실험방법
4. 실험결과
5. 고찰
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측정하였기 때문에 실험 장치의 오작동에 의한 큰 오차의 발생은 일어나지 않은 것으로 보인다.
6. 실험후기
이번 학기 처음으로 하는 실험이라서 많은 기대와 두려움을 가지고 실험에 임했었다. 첫 번째 주제가 R, L, C의 저항 값 측정 이었는
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측정하기가 너무 어렵다는 것을 확인 할 수 있습니다.
< R = 100KΩ , C = 0.1μ 일 경우 >
위 실험에서 저항이 1KΩ일 때와는 다르게 R=100KΩ일 때는 충전과 방전상의 그래프가 63.2%가 되는 점까지 도달하지 못한다는 것을 확인 할 수 있습니다. 그
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c) 이 측정을 통하여 실제 DMM으로 측정한 전압을 어느 정도까지 믿을 수 있는가?
(a) 측정 전압을 이용하여 DMM의 내부저항을 계산하라. 회로도를 그려서 설명하라.
전압분배법칙을 이용하면 다음과 같은 식을 세울 수 있다.
Vo=R*5/(22+R)
(단, Vo는
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실험을
통해 확인할수 있는 기회였고 오실로스코프의 사용법에 대해서 숙지할수 있는 좋은 기회가 된것
같다.
7. 참고문헌
- 제어시스템해석 및 설계 (Raymond T Stefani)
- 공학실험(한국항공대학교)
- 회로해석 및 반도체소자 전지전자공학개론1(G
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실험1을 통하여 저항R을 사용한 회로는 교류에서 저항과 전압일 일정할 때 진동수가 증가하더라도 전류값은 일정함을 확인할수잇었는데, 이는 저항R회로 에서는 V=IR 임으로 진동수와는 상관없기 때문이다. 실험2 축전기 C회로에서는 직류에서
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