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측정하여라. (입력 오프셋 전압은 Vz의 약 1%이다.)
-> 224mV
5. Conclusion & Evaluation
->이번 실험은 BJT의 차동증폭쌍에 대해 실험을 하였는데, 전자회로시간에서 아직 배우지 않은 부분이어서 회로해석하는데 많은 어려움이 있었다. 그래도 책을
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측정모드로 설정하였을 때 DMM의 내부저항은 얼마인가? 회로를 그리고 설명하여라
→ 전압 측정결과 : 1.593V
= 이므로
R=10.286MΩ
5.6 실험 4.7의 결과를 이용하여 실험실 벽면 내의 교류전원의 배선도를 그려서 제출하라.
6. 검토 및 결론(느낀점)
이
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측정치 값을 읽어 내는 방식에서 오는 오차범위라고 생각하게 되었지만 정확한 원인이 무엇인지는 밝혀내지 못하였다. 이번실험은 회로가 약간은 복잡하게 구성되어있고 그를 이루는 저항체와 도선과 측정 장비들이 많기 때문에 그만큼의
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실험실에서 이용할 수 있는)를 결정하고, 저항을 측정하여 그림 11-3 및 아래에 기록하라.
(계산치) = 300 Ω
(상용치) = 300 Ω
c. 사이의 관계를 정의하기 위하여 이론개요의 식 (11.9)에서처럼 를 가정하라. 회로 명세서를 이용하여 관계를 정의하
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경우 백분율 리플은 얼마가 되어야 하는가?
(a) 0%에 가까워야 한다. (b) 대략 50%가 되어야 한다. (c) 100%에 가까워야 한다.
⇒ 리플값에 의해 직류출력전압이 감소하게 되므로 이상적인 회로의 경우에는 백분율 리플 값이 0에 가까워야 한다.
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회로(AND gate)
2)논리합 회로(OR gate)
3)논리 부정 회로(NOT gate)
4)NAND 회로 (NAND gate)
5)NOR 회로 (NOR gate)
6)배타적 논리 합 회로(exclusive-OR gate)
7)비교기
8)반가산기
9)반감산기
10)플립플롭
실험방법
(1)AND와 OR 게이트의 특성
(2)NOT 와 NAND게이트
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실험과정에서 얻어진 실험 데이타를 근거하여 아래의 진리표를 작성하시오. 데이터는 2.5V 이상일 때는 논리“1”로, 그리고 0.5V미만일 때는 논리 “0”으로 한다.
표 4-1.R 표 4-2.R
A
B
X
0
0
0
1
1
0
1
1
A
B
X
0
0
0
1
1
0
1
1
표 4-3.R 표 4-4.R
A
B
X
0
0
0
1
1
0
1
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회로의 전도성을 증가시키기 때문이다. 그 결과 병렬회로 전체의 저항은 병렬로 연결된 어느 저항보다도 적은 값을 가지게 된다.
R = R1*R2/R1+R2
실험4
(1) 저항 R1-R3-R4의 루프를 흐르는 전류값을 계산하고, 전류계를 이용하여 측정하라
계산치
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실험은 집중을 요하는 실험인 것 같다. 선 색깔이 파란색으로 똑같기 때문에 잠시만 딴 짓을 하면 어디에 어떤 선이 연결되어 있는지 헷갈리게 되므로 실험에 전념을 다해야 만이 정확한 데이터를 얻을 수 있는 실험이었다. 1. 측정값
2.
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저항에 반비례한다.
고로, 전압의 크기는 전류와 저항에 비례한다.
이 실험은 전류 값과 저항 값을 변화시키면서 전위차를 측정하고, 옴의 법칙과 어떠한 차이가 있는지 알아보는 실험이었다.
옴의 법칙( V = I R )을 이용하면, 전류와 저항의
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