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것으로 생각된다.
두 번째 RL회로의 실험은 RC회로의 실험과 달리 예상보다 상당히 큰 오차가 발생했다. 반복된 실험에서도 큰 오차가 나타난 것으로 보아 어떤 일정한 요인에 의해 고정된 오차가 나타난다고 추측할 수 있었다. RL회로는 RC회로
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회로에서 공통베이스 증폭기의 전압이득은 대략 얼마인가?
(a) 1 (b) 17 (c) 34 (d) 50
⇒ 이 공통 베이스 증폭기에서의 전압이득(Av)는 다음과 같다.
Av=Vout/Vin=[ic×(RC||RL)]/[ie×r\'e]=(RC||RL)/r\'e=(1kΩ||1kΩ)/30.12Ω=16.6
그러므로 답은 17에 해당할 것이다.
2. 공
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이 0.5㎃가 아니면 실험 (1)로 돌아가 저항 R1과 R2의 값을 적절히 조절하여 IC=0.5㎃가 되도록 한다.
RC= 9.97 ㏀
VB= 0.717 V
VC= 5.515 V
IC= 0.4612 ㎃
IE= 0.0026 ㎃
IE=IB+IC= 0.4638 ㎃
그림 8. IC=0.5mA,VC=5V바이어스 회로
실험 11.3 바이어스의 안정을 위해 에미터 저
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RC회로 (콘덴서의 충방전)
직류전압 V0가 전하가 축적되어 있지 1. 실험목적
2. 이론
(1) RC회로 (콘덴서의 충방전)
(2) RL회로 (인덕턴스 작용)
♦ 키르히호프의 법칙 (Kirchhoff's law)
3. 실험장치
4. 실험방법
(1) RC회로
(2) R-L회로
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회로에서 출력파형이 입력파형을 미분한 형태로 응답할 때 그 회로를 미분회로라 하고 그 응답이 입력파형을 적분한 형태로 나타날 때 그 회로를 적분회로라 한다. 미분과 적분회로는 보통 RC, RL 등과 같이 수동소자고 구성(수동회로)하거나
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회로의 미분방정식의 의해서 계산되는 것 또한 알 수 있다.
4.반도체와 미적분
위에서 본 키르히호프의 전압법칙과 RL회로의 미분방정식, RC회로의 미분방정식 외에도 반도체는 미적분과 많은 연관이 있다. 반도체 산업에서 미적분학을 활용
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회로를 그림 18.8에 나타냈다. 그림에서 트랜지스터 Q3와 Q4는 저항기 RB와 함께 정전류 전원을 형성한다. 이 회로에서 RB = 33 KΩ, RC1= RC2 = 20KΩ, VCC=-VEE=15V 이고 트랜지스터의 β=150이다. 증폭기의 바이어스 전류 IEE를 구하라.(단, 트랜지스터의 VBE
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RC 양단의 전압강하(VRC) 증가.
→ iii) VC = VCC - VRC에 의해 감소.
→ iv) RB 양단의 전압 감소.
→ v) IB 감소.
→ vi) IC 감소 (IC 증가분이 복구).
→ vii) RC 양단의 전압 감소.
→ ∴ VC 감소분이 복구
→ Q점 안정화.
◇ 컬렉터 귀환 바이어스 회로의 해석
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RC 회로의 경우에는 회로를 연결했다고 해서 일정한 전류를 가지지 않는다. 축전기에 의한 전압강하는 전류의 적분 값에 비례하므로 시간이 지날수록 저항이 점차 강해지는 경향을 보이게 된다. 따라서 회로를 이었을 때는 (기전력이 있을 때
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RC의 공식에서 VCC와 IC모두 일정하므로 결국 VCE값도 일정하게 유지되게 된다. 결국 βDC(HFE)값이 증가하게 되면 IB는 감소하게 되지만 IC와 VCE값은 일정하게 유지되어 결국 온도변화에 대해 안정성을 가지게 되는 것이다.
3. 그림 12-1의 회로에 대
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