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실험에서 이 관계를 명확하게 확인해 보게 될 것임을 예상해 볼 수 있다.
손과 센서 사이에 종이, 금속을 넣는 것은 온도의 변화 폭을 줄어들게 할 것이다.
따라서, LED에 걸리는 전압에 영향을 미치지 않을까 하는 생각을 해본다.
5. 결론 : 이
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실험(1) 의 회로를 수정하여 다음의 회로를 구성하라. 이 때, V5 는 VSIN 을 이용하고, 5sin(2π × 100t) V 로 하라.
(4) Time Domain Analysis 를 수행하여, V5 를 하나의 그래프에 출력하고, U3C 의 출력전압을 별도의 그래프에 출력하라. 시뮬레이션 결과로부
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실험에 비해 새로운 개념이 많이 등장했다. GBP나 slew-rate들도 알게 되었다. 아직 의용전자2는 진도를 나가지 못해 이론적으로 아는 점이 없어 시뮬레이션 분석이 힘들었다. 이번 실험9의 실험절차를 통해서 더 깊게 이해할 수 있을거라 생각한
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실험방법
실험 A. LED의 순방향 전압 강하 측정이다.
그림3-5와 같이 회로를 구성한 다음. 멀티메터 또는 오실로스코프로 저항 R양단간의 전압
{V}_{R}
을 관찰하고 가변 전원장치의 전압조절기를 돌려서
{V}_{R}
이 3V가 되게하여 전류 I와 LED양단간
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실험 방법
1. 병렬 공진 회로
1)다음과 같이 회로도를 그린다.
2) R=1KΩ, L=2mH, C=2㎌ 으로 RLC 병렬회로도를 작성한다.
3) 전압은 5V로 유지한다.
4) 멀티미터기로 전압이 최대가 되는 주파수를 찾아서 기록한다.
2. 직렬 공진 회로
1)다음과 같이 회로
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것이다.
참고문헌
1. 분석화학, 강용철, 자유아카데미, 2012, 269-273p
2. 일반화학, 화학교재연구회, 자유아카데미, 2016, 695-741p
3. 일반화학, Mc Murry Fay, 2012, 90-100p 실험 제목
실험 목적
실험기구 및 시약
실험방법
이론
예상결과
참고문헌
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전량을, 이것과 반응하는 데 필요한 이미 알고 있는 농도의 시약의 부피를 측정하여 그 양으로부터 알고자 하는 물질의 양을 구하는 방법이다. 1. 실험 목적
2. 실험 기구 및 시약
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 예상 결과
6. 참고 문헌
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로 표현하면 4148가 된다.
이를 Case 1, Case 2와 같은 방법으로 위치를 변환해주면, 4841이 된다.
따라서 16진수로 변환된 최종 코드(2byte)는 4841이 된다.
앞에서 언급했듯, 메모리는 4byte씩 구성되어야 하므로 위의 각 2byte는 합쳐지게 된다.
따라서 16
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gn sum[31] = p[31] ^ c[31];
assign c_out = c[32];
endmodule
기본적으로 위의 내용과 비슷하다. sum[num]은 p[num]의 값과 캐리(c[num])를 더한 값의 출력임을 보여주고 있다.
c_out은 최상위 자릿수에서 발생하는 캐리값이다.
모든 실행이 끝나면, endmodule 키워드로
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하는 데이터이다.
10. sram_addr
메모리의 주소이다. addr에서 하위 2bit를 뺀 값이다.
11. oeb
read enable로, 0일 때 메모리 read가 일어났다는 뜻이다.
12. web
write enable로, 0일 때 메모리 read가 일어났다는 뜻이다.
13. beb
byte enable로, 각 bank를 할당하는 역할
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