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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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TR(NPN,PNP) / 일반다이오드(1N60,1N4001등) /
LED(백색, 적색, 등색등) / FET / UJT /
SCR / TRIAC / Photo TR
2-3 R/L/C-기본 소자 시뮬레이션 제작
1-전류전압(전압측정)
2-battery(내부저항)
3-Capacitor(충방전)
4-Inductor(릴레이복원특성).
5-Diode(diode6)
6-Transistor(Tran6)
7-OP
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4. 액정의 배향
5. LCD 의 전기광학 효과
6. LCD의 용도 및 분류
7. LCD의 제조공정
8. LCD의 구조 및 원리
III. TFT-LCD의 정의 및 제조공정
1. LCD의 종류
2. TFT-LCD의 정의
3. TFT(Thin Film Transistor)의 정의
4. 전자소자의 종류
5. TFT-LCD 제조공정
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다이오드 모델
(1) 체적 저항(RB)
(2) 역방향 전류
4. 기타 특성
(1) 최대 역방향 전압(VRPM)
(2) 순방향 평균 전류(IO)
(3) 순방향 전력 손실(PD(MAX))
2. TR(트랜지스터)
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
[2] 접합형 FET에 흐르는
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FET의 종류
JFET(Junction Field Effect Tr)
Gate전압은 p-n접합의 공핍층을 변화 시켜
전류를 제어
MESFET(metal-semiconductor FET)
MISFET(metal Insulator-semiconductor FET)
Gate전극과 반도체 사이에 절연체 삽입
ex)MOSFET 1. 트랜지스터의 변천사
2. 진공관
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트랜지스터에 비해 최대 콜렉터 전류와 최대 콜렉터 손실이 크고 발열에 대비하여 형상도 크고 금속으로 쉴드 되어 있거나 방열핀이 첨부되기도 한다.
4. 회로도
5. 변동사항
- 원래 있지 않았던 스위치와 발광 다이오드를 전원 입력단자 +극
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TR 해석을 위한 필수 관계식을 적으시오.
23. TR에서 동작점이란?
24. 동작점의 변동 요인을 적으시오.
25. TR에서 바이어스의 종류를 적으시오.
26. TR에서 얼리효과란?
27. 달링턴 증폭기의 특징
28. 캐스코드 증폭기란?
29. FET의 특성
30. MOSFET의
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FET : 입력 게이트가 반도체의 접합으로 구성되고 있는 ＦＥＴ 로 트랜지스터와 비교하여 훨씬 적은 입력 전류로 동작합니다
③ 특징
트랜지스터는 반도체 다이오드의 기능을 포함시키면 증폭발진스위칭정류검파 등의 기능을 가지기 때문에
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트랜지스터의 동작 원리
PNP타입 트랜지스터
NPN 타입 트랜지스터
6. 동작원리로 이해하는 트랜지스터의 특성
1) 스위치 작용
2) 증폭 작용
7. 트랜지스터의 분류
기본 분류
1) 트랜지스터
2) 전계 효과 트랜지스터 (FET)
8. 트랜지스터 판별
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