|
P형으로 도핑된 3개의 반도체 영역과
이들에 의해 형성되는 두 개의 PN접합으로 구성
≪ 그 림 ≫ ≪ 그 림 ≫
PNP형: 베이스가 N형이고 이미터가 P형 NPN형: 베이스가 P형이고 이미터가 N형
|
|
|
P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험
|
|
|
P형 영역 일부에 N형 영역을 만들어 넣는 것이며 이렇게 하면 전체는 NPN형의 트랜지스터 모양으로 되지만 보통의 포토 다이오드 작용에 「증폭」작용이 부가되게 된다. 나중에 만들어 넣은 N형 영역이 이미터(E), P형 층이 베이스(B), 기판쪽의 N
|
|
|
특성 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 2
1.3 Nano Technology의 발전의 원동력 ㆍㆍㆍㆍㆍ 2
1.3.1 나노기술의 경제·사회적 요소 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 2
1.3.2 나노기술의 과학기술적 요소 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 3
1.4 나노기술의 분류 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ
|
|
|
특성
1.3 Nano Technology의 발전의 원동력
1.3.1 나노기술의 경제·사회적 요소
1.3.2 나노기술의 과학기술적 요소
1.4 나노기술의 분류
1.4.1 전자 / 통신 분야
1.4.2 환경 / 에너지 분야
1.4.3 생명공학 분야
2. 나노 분말과 나노재료
2.1. 나노
|
|
|
특성 -김경화, 김 향, 양 민, 안형수, 이삼녕-
13. http://blog.naver.com/bysuhwa?Redirect=Log&logNo=110012186460
14. http://blog.naver.com/nanum_choi
15. http://blog.naver.com/sjc0123?Redirect=Log&logNo=2614406
16. http://blog.naver.com/amourhsh?Redirect=Log&logNo=12001812526
17. http://blog.naver.com/
|
|
|
P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 반도체를 다이오드를 만든다.
1) 순방향: P에 (+)전압을 N에 (-)전압을 가하면 전류가 흐른다. 이를 순방향이라한다.
2) 순방향과 반대로 전압을 가하면 전류가 거의 흐르지 않는데 이를 역방향이라 한다
3)
|
|
|
중앙 처리장치 (CPU: Central Proxessing Unit)
반도체 소재의 역할 1. 반도체 소재
1) 반도체 소재란
2) P형 반도체
3) N형 반도체
2. 반도체 소재의 종류
1) 다이오드 (Diode)
2) 트랜지스터(Transister)
3) 사이리스터(thyristor)
|
|
|
접지 회로
(a) 베이스 접지 회로의 정특성
(b) 이미터 접지 회로의 정특성
iii. BJT의 정격
C. BJT 회로
i. BJT 회로의 3가지 형태
ii. BJT 회로의 3가지 모드
III. 결론
IV. 참고사항
|
|
|
구성원자와 결정구조에 따라서 그의 허용치가 정해진다. 1. 반도체의 정의
1)반도체란 무엇인가?
2)물질의 전기적 분류
3)반도체의 편리성
4)반도체의 구성
5)반도체의 특성
6)반도체의 재료
2. 반도체의 원리
|
|
메뉴펼치기
