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PN 접합 다이오드
q PN 접합 다이오드의 특성
• PN 접합은 확산 접합에 의해 만들어짐
• N형 반도체를 가열시킨 상태에서 3가 원소기체를 주입
• 억셉터 이온이 N형 반도체 속으로 확산되어 P형 반도체 영역에 형성
• 반대로
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1.과제명: PN접합
2.이론: PN Diode 순방향과 역방향의 특성
P형과 N형 반도체가 서로 맞닿아 있는 부분을 PN접합 이라하고, PN접합으로 이루어진 소자를 PN접합 diode라 한다.
3.실험
실험① 그림 3-3의 회로에서 저항 R1의 값을 10～1000Ω의 범위로 변화
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는 pn 접합의 에너지 밴드 다이어그램>
7.3.1 공간전하폭과 전계
1) 역방향 바이어스와 공간전하폭의 관계
: 역방향 바이어스전압(VR)∝ 공간전하폭(W)
W= {[2εs(Vbi + VR)/e][Na + Nd/NaNd]}1/2
2) 역방향 바이어스와 전계의 관계
: 역방향 바이어스전압(VR)
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ppn0/Lp)[exp(eVa/kT) - 1]exp[(xn - x)/Lp] (x xn)
Jn(x)= eDnnp0[exp(eVa/kT) - 1]exp[(xp + x)/Ln] (x -xp)
<순바이어스 하에 있는 pn접합을 흐르는 이상적인 전자 및 정공 전류 성분>
1.7 온도 효과
순바이어스 전류-전압 관계는 식 J= Js[exp(eVa/kT) - 1]으로 주어지는데,
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PN접합에 역바이어스 전압을 인가하면 다수 캐리어가 PN접합면으로 분터 먼 곳으로 이동하게 하여 고정된 도우너 이온과 억셉터 이온을 증가시켜 공간전하영역의 폭을 크게한다.
이러한 결과로 공간전하영역은 일종의 콘덴서의 기능과 같이
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pn 접합의 p형 반도체에 (＋), n형 반도체에 (-)의 전압을 가함으로써 pn접합부의 공핍층 전압이 작아지고 전류가 증가한다.
-역방향 바이어스 : 다이오드에서 전류가 거의 흐르지 않는 방향으로 주어진 외부 전압. pn 접합의 n 반도체에 (＋), p 반
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이 PN접합으로 되어 있는 다이오드를 접합형 다이오드라 하고 현재 가장 일반적으로 사용되고 있다.
또, 다이오드는 발(리드선)이 2개 있는데 P형 반도체에서 나오는 발을 애노드(Anode)라하여 (+)극을 갖으며, N형 반도체로부터 나오는 발을 캐소
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PN접합), 반도체공학(특수반도체)
디스플레이 공학 : LCD·PDP·OLED·LED / 엄금용 / 기전연구사
LED 패키징 기술 입문 / 신무환 김재필 / 북스힐 LED의 소개
조명용LED
LED의 기술과 시장동향
국내 시장동향
세계적 시장동향
그 외 LED 의 사용
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항복전압이라해서 잘 흐르지 못 했던 전류가 흐르게 되게 되는 전압이 생긴다. 이를 break down 이라 한다. 1. 그림 1의 p-n 접합시 그림 2와 같이 되는 과정을 자세히 설명
2. p-n접합이 정류 특성을 갖는 원리를 그림2를 이용하여 설명
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접합 다이오드의 특성
1. 실험 목적
2. 실험 이론
1) pn접합 다이오드
2) Si 다이오드의 여러 가지 온도에 따르는 전압-전류 특성 변화
3) 반도체 다이오드한 표시 및 저항계를 이용한 측정
PsPice시뮬레이션 결과
□ 실험결과
1.
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