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제는 대기압 산화에서와 같다.
(4) 산화공정 시스템
웨이퍼 세척 → 산화 → 표면 검사 → 측정 → 마스킹
3) Dry Oxidation과 Wet Oxidation의 차이점
Dry Oxidation : Si + O₂→ SiO₂
Wet Oxidation : Si + H₂O → SiO₂+ 2H₂
Dry Oxidation의 경우 매우 높은 순도의 Oxyg
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가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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산화 : Si + O2 → SiO2
약 1000℃에서 산소에 silicon을 노출시킴으로써 수행된다.
0.05㎛의 얇은 층에서 high quality를 제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두꺼운 o
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Oxidation : SiO2 입혀주기
포토리스그라피 반복
PR 도포
Soft Baking 10분
노광 : Align Key 사용하여 정확한 위치
Develop DI water
Hard Baking 10분
뒷면 Taping
금속(Al 1500Å) 올리기 과정
Evaporator 진공 10^-6까지 30~40분 소요
PR 도포
Soft Baking 10분
노광
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SiO2 Thin Film (Oxidation)
(3) Aluminum
(4) Electronic Balance
(4) 4-Point Probe(CMT-SERIES)
(5) Stylus (Alpha Step 500)
(6) 광학현미경
박막 증착 장비
박막 분석 장비
Thermal Evaporator
4-Point Probe
Stylus(Alpha Step 500)
4. 실험방법
(1) 전자저울을 이용하여 0.1g, 0.2g의 알루미늄을
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SiO2 Thin Film (Oxidation)
(3) Aluminum
(4) Electronic Balance
(4) 4-Point Probe(CMT-SERIES)
(5) Stylus (Alpha Step 500)
(6) 광학현미경
박막 증착 장비
박막 분석 장비
Thermal Evaporator
4-Point Probe
Stylus(Alpha Step 500)
4. 실험방법
(1) 전자저울을 이용하여 0.1g, 0.2g의 알루미늄을
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산화 : Si + O2 → SiO2
약 1000℃에서 산소에 silicon을 노출시킴으로써 수행된다.
0.05㎛의 얇은 층에서 high quality를 제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두꺼운 o
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산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식산화 법과 습식산화 법으로 구분 할 수 있다.
▶ Dry Oxidation
고온의 Furnace 내로 O2 가스를 공급하여 실리콘을 산화 시킨다.
막의 성장 속도가 느리다.
Si(s) + O2(g) → SiO2(s)
▶ Wet Oxidation
고
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SiO2에서의 O2의 용해도보다
1000배 정도 크기 때문이다. 1. SiO2의 두께 측정방법
● Ellipsometry의 원리
● 다층박막의 두께 측정
● 측정방식에 따른 분류
● 측정의 어려움
2. 반도체 공정중 Oxidation 사용분야
● Oxidation(산화막 성장)
●
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SiO2층을 증착시키고, 여기에 GeO2, B2O3 및 P2O3와 같은 소량의 불순물을 첨가하여 적절한 굴절률 분포와 크기를 갖는 모재를 만드는 방법이다.
① OVPO (내부증착)
OVPO(Outside Vapor Phase Oxidation) 공정을 일명 OVD(Outside Vapor Deposition) 공정이라고도 하며
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