[공학]TFT-LCD에 대한 보고서

목차

1.비정질 – si TFT-LCD
1) 비정질- si TFT-LCD의 구조
2) 자체 정렬형 TFT
3) TFT 전류 특성
4) TFT array 공정

2.폴리 – si TFT-LCD
1) 비정질 –si TFT과 차이점
2) 고온 공정 p-si TFT 제작
3) p-si TFT의 특성

본문내용

a – si TFT의 구조
특성
1)On상태와 off상태의 전류비가 106~108정도로 매우 크다.
2)공정 온도가 350도 근방으로 유리의 융점보다 낮아 유리기판에 쉽게 만들 수 있다.
Coplanar 형
1)소스와 게이트가 한 평면상에 놓인다.
2)다결정 실리콘 TFT에 사용된다.
Staggered 형
1)소스와 게이트가 다른평면상에 놓인다.
2)비정질 실리콘 TFT에 사용된다.
역(inverted) staggered 형 TFT (bottom gate 방식)
BCE형 TFT
N+막을 dry etch할때 , over etch정도에 따라서 비정질 실리콘의 두께가 달라진다. 300Å~700Å정도의 n+층을 벗겨내려면 채널의 비정질 실리콘이 어느 정도 overetch되는데,Overetch되는 비정질 실리콘의 두께가 유리기판의 위치마다 다르므로, TFT특성을 일정하게 유지하려면 overeth정도를 고려하여 비정질 실리콘을 두꺼게 증착해야 한다.
a – si막의 두께는 1500~2000Å정도이다.
E/S(Etch stopper)형 TFT
BCE형보다 photo공정이 한단계 더 필요하다. E/S형 TFT는 유리기판이 대형화되더라도 E/S가 비정질 실리콘층을 보호하므로, n+ 층의 식각공정의 여유가 크다. 식각을 막는 절연층을 비정질 실리콘층 위에 만들고, n+ 층을 적층한다. n + 층의 식각을 막아주므로 비정질 실리콘의 두께가 균일하다. E/S형 TFT의 비정질 실리콘층은 두께가 500Å이하이다.

키워드

자체정령,   TFT,   LCD,   폴리,   비정질,   si,   기술,   P-si