|
. 일반적으로 I-V 곡 선은 세 가지 영 I.Introduction
I.1.Purpose
II.Experiment Setup
II.1.Exper. 1) N-type MOSFET
II.2.Exper. 2) P-type MOSFET
III.Experimental Results & Analysis
III.1. Exper. 1) N-type MOSFET
III.2. Exper. 2) P-type MOSFET
IV.Conclusion
IV.1. Summary
IV.2. Outcome
|
|
|
I Introduction
전자재료, 특히 반도체 재료에서 전기적 특성(electrical properties)을 조사하는 것은 상당히 중요하다. 이런 electrical property를 측정하는 방법 중에 I-V 측정이 있는데, 이는 우리가 원하는 재료에 특정 전압을 흘려 주었을 때 이에 반응
|
|
|
설계 목적
1. 전극에 이온을 주입할 때, 주입량과 Does량의 대한 변화 값 측정
2. 주입량 변화에 따라,Dose량과의 변화가 있는지를 I-V 그래프로 살펴 보겠다.
설계 조건
기판 고정값
Environment Title nMOSFET
substrate dopant
|
|
|
I-V그래프
I-V 그래프에서는 면적당 전류를 측정 할 수 있는데, 이것은 leakage current(누설 전류)로서 막의 두께에 따라 다르다는 것을 알 수 있다.
① 100A 인 경우
약 이고
② 200A 인 경우
약 로 볼 수 있다.
즉, 100A인 경우 누설전류가 더 크다는 것
|
|
|
I-V곡선의 모양이 사각형에 얼마나 가까운가를 나타내는 값으로 필팩터가 작다는 것은 최대전력이 작다는 것으로 I-V곡선의 사각형이 작은 것이며, 필팩터가 크다는 것은 최대전력이 크다는 것으로 I-V곡선의 사각형이 크다 .
<참고문헌>
|
|
 |
선형적 그래프는 아니지만, ReRAM 의 특성을 보이지는 못한다.
산소의 비율 4%의 700℃상태에서 그래프 6의 경우 아래와 같은 I-V가 측정되었는데 이는 off state 가 1.4V 유지되는 매우 좋은 상태의 모습을 보였지만, 소자 전체에서 발생되지 못하고
|
|
|
선 송신부의 회로도 ....................... 15
[그림 3-3] 적외선 수신부의 회로도 ......................... 16
[그림 3-4] Timer의 회로도 ....................................... 17
[그림 3-5] 음성 녹음 재생기의 회로도 ........................ 18
[그림 3-6] LED방향 표시기
|
|
메뉴펼치기
