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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
<결론>
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deposition
Good economy and process control
A great variety of chemical compositions
High step coverage
Selective deposition
AdvantageS of CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- High Purity Thin Film
- influenced by various fac
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deposition)
제2절 TiO2 개질
1. 개요
2. TiO2 가시광 흡수와 광촉매 반응
2.1. 염료감응(dye sensitizaztion) TiO2 광촉매
2.2. 금속담지
2.3. 도핑
2.3.1. 전이금속 도핑
2.3.2. 비금속 도핑
2.4. 무기이온 표면 착물화
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Metallic Alloy using Electrical Resistivity, Seung Hoon Nahm, Kwang Min Yu, and Jae Cheon Ryu, Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing, Vol. 21, No. 5, P.532-P.541 (2001)
[4] ITO-free organic light-emitting diodes with as semitransparent anode fabricated using thermal deposition me
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3인 著 / 한국 경제 신문 출판부
진공물리 및 진공기술 / 안일신 著 / 한양대학교 출판부
http://metal.or.kr/new/college/lecture/heattreat/heat09-09.htm
http://www.pvdworld.net/
http://kr.softwise.yahoo.com/bin/query
http://www.yik.co.kr/pds/view.asp -서론
-본론
-결론
-참조
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