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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
<결론>
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Deposition)
5.1. LPCVD
5.2. PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
5.3. APCVD
6. 분자빔 결정법(MBE)
7. 박막 증착의 예
7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)
8. PVD와 CVD의 차이 비교
9. 증착법의 실제 적용 분야
9.1. 증착법의 기술전망
10. 포
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피하고 있다.
3. 결론
기판에 증착된 박막의 두께는 0.34 이었다.
4. 참고문헌
‘현대물리학’ A.Beiser저, 정원모 번역.
‘고체전자공학’, Streetman, Ben G, 喜重堂, 1991.
전자재료실험 매뉴얼. 목적
이론
실험방법
결과및토론
결론
참고문헌
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반도체 전자 공학 - 이정한
반도체 (공정 및 측정) - 전자자료사 편집부
박막 프로세스의 기초 - 금원찬 외 공저
박막공학의 기초 - 최시영 외 공저
재료과학 - Barrett 외 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 참
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및 정전기 제어에 관한 연구, 2011년, Page 40 1. 오른쪽과 같은 pattern 모양을 형성하기 위해서 어떠한 공정을 진행해야 하는가를 그림과 이론으로 설명하시오.
2. 실험 가정 및 주의사항
3. 두께 및 식각속도 계산
4. 실험결과
5. 고찰
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